针对限幅低噪声放大器使用过程中出现输出不稳定现象,利用扫描电镜和能谱仪对场效应管栅极表面的金属缺失层和栅源之间的金属堆积物进行微观分析,寻找放大器工作不正常的原因。结果表明:场效应管栅极Au层的电迁移,使导线局部电阻增大,温度升高,导致Au 的热迁移加重,引起导线出现孔洞和栅源中间堆积金属颗粒,使栅极导线出现开路和栅源极间产生不稳定接触,最终导致场效应管的工作参数漂移和放大器工作不正常。
21ic讯 麦瑞半导体公司(Micrel Inc.)日前推出了SY88053CL和SY88063CL限幅后置放大器。这两款器件是支持扩建新一代无源光网络(PON)的光纤到户(FTTH)XGPON和10GEPON光线路终端(OLT)应用的理想产品。该产品系列还适用于
如图所示是一个一般用途的,非反相交流放大器,它可以应用于其他低频音频。图中是设计公式,几乎所有的通用运算放大器都可用于U1。
高品质立体声HI-FI组合放大器06
高品质立体声HI-FI组合放大器05
高品质立体声HI-FI组合放大器04
高品质立体声HI-FI组合放大器03
高品质立体声HI-FI组合放大器02
高品质立体声HI-FI组合放大器01
用LM1875组装BTL高保真放大器
21ic讯 TriQuint半导体公司(今天发布了新型氮化镓 (GaN) 集成功率倍增器,为快速增长的有线电视基础构架提供了优异的性能。TriQuint新型氮化镓单片微波集成电路 (MMIC) 放
21ic讯 TriQuint半导体公司日前发布了新型氮化镓 (GaN) 集成功率倍增器,为快速增长的有线电视基础构架提供了优异的性能。TriQuint新型氮化镓单片微波集成电路 (MMIC) 放大器提供高增益 (24 dB) 以及卓越的复合失真
基于chartered 0.35 μm工艺,采用PMOS管作为输入管的折叠式共源共栅结构,设计了一种采用增益提高技术的两级运算放大器.利用Cadence公司的spectre对电路进行仿真,该电路在3.3 V电源电压下具有125.8 dB的直流开环增益,2.43 MHz的单位增益带宽,61.2°的相位裕度,96.3 dB的共模抑制比.
具有音调控制功能的HI-FI放大器02
具有音调控制功能的HI-FI放大器01
劲力十足的功率放大器02
劲力十足的功率放大器01
30W混合式放大器02
30W混合式放大器01
混合式优质放大器