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MOSFET瞬态脉冲热阻的测量及其变化规律研究
摘要:半导体器件正不断朝高功率、高电压、大电流方向发展,随之而来的是高功率带来的发热和散热难题。现以MOSFET作为研究对象,对瞬态热阻进行测量与分析,研究MOSFET瞬态热阻在不同栅极电压下的变化规律。实验结果表明,MOSFET瞬态热阻随栅极电压vGS绝对值的增大而减小,但对于不同的器件,热阻减小的幅度不同。通过分析得到引起上述现象的原因在于,当栅极电压变化时,沟道和漂移区的物理尺寸发生变化,从而对热流的扩散长度产生影响,改变了通道的导通电阻分布,并且导电通道内的峰值温度点会发生变化。
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MOSFET瞬态脉冲热阻的测量及其变化规律研究
摘要:半导体器件正不断朝高功率、高电压、大电流方向发展,随之而来的是高功率带来的发热和散热难题。现以MOSFET作为研究对象,对瞬态热阻进行测量与分析,研究MOSFET瞬态热阻在不同栅极电压下的变化规律。实验结果表明,MOSFET瞬态热阻随栅极电压vGS绝对值的增大而减小,但对于不同的器件,热阻减小的幅度不同。通过分析得到引起上述现象的原因在于,当栅极电压变化时,沟道和漂移区的物理尺寸发生变化,从而对热流的扩散长度产生影响,改变了通道的导通电阻分布,并且导电通道内的峰值温度点会发生变化。
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一款62mm器件半桥拓扑设计的CoolSiC™模块
在科学技术高度发达的今天，各种各样的高科技出现在我们的生活中，为我们的生活带来便利，那么你知道这些高科技可能会含有的CoolSiC™ MOSFET模吗?
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