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GaN 将射频应用推向新的阶段
氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体，可满足高功率和射频应用日益增长的需求。GaN 的带隙是传统硅的三倍以上，它允许功率器件在比硅更高的温度和电压下工作，而不会破坏或降低其性能和可靠性。此外，其极低的导通电阻使 GaN 能够提供非常高的电流和射频功率密度，在雷达、功率转换器和功率放大器等高功率射频系统中得到应用。
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德州仪器用2000万小时给出使用氮化镓（GaN）的理由
在正式发布之前，TI投入大量人力物力， 累计进行了超过2000万小时的设备可靠性测试，使得电源设计工程师可以更放心地在各种电源应用中使用氮化镓。
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产业“新发动机” 第三代半导体发展迅速
“到2030年，第三代半导体产业力争全产业链进入世界先进行业，部分核心关键技术国际引领，核心环节有1至3家世界龙头企业，国产化率超过70%。”这是日前在京举办的第三代半导体战略发布会上，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲所描述的我国半导体产业未来的发展前景。
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产业“新发动机” 第三代半导体发展迅速
“到2030年，第三代半导体产业力争全产业链进入世界先进行业，部分核心关键技术国际引领，核心环节有1至3家世界龙头企业，国产化率超过70%。”这是日前在京举办的第三代半导体战略发布会上，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲所描述的我国半导体产业未来的发展前景。
