南京2024年8月16日 /美通社/ -- 8月15日,由中国电力发展促进会主办,南瑞集团有限公司承办的中国电力发展促进会电力电子器件专业委员会(以下简称"专委会")成立大会在南京召开。专委会的成立旨在促进行业电力电子核心器件创新要素聚集和产业资源整...
通常来说,选用哪类器件取决于成本、效率的要求并兼顾开关频率。如果要求硬开关在100kHz以上,一般只有MOSFET能够胜任。用于太阳能光伏发电系统逆变器(含输入直流斩波级)的功率半导体器件主要有MOSFET、IGBT、超结MOSFET。其中MOSFET速度最快,但成本也最高。
随着以硅材料为基础的功率器件逐渐接近其理论极限值,利用宽禁带半导体材料制造的电力电子器件显示出比 Si 和 GaAs 更优异的特性,给功率半导体产业的发展带来了新的生机。
变频驱动技术正在以出人意料的方式被用于解决各种运动控制应用的挑战,并帮助企业提高生产效率和成本效益。 变频驱动技术已经被用于控制许多机械任务以及自动化的机器人,涵盖了从制造、加工工厂到仓
随着IGBT等电力电子器件的功率不断增大,应用的范围也随之变得越来越广,从电机驱动、光伏逆变器,到铁路牵引、电动/混合动力汽车无不涉猎。但是电力电子器件不仅要工作在正常状态下,有时候也需要工作在极端情况下,
电力电子装置中相对来说工作时产生自身功耗最大的部分应该是电力电子器件:晶闸管、整流管、IGBT等。这部分自身功耗以热的形式表现,使器件自身温度升高。于是有了散热器和风机的强迫风冷措施。用流动空气把器件上的
中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。 泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极管
北极星电网在线讯:中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极
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(一) 电力二极管结构基本特性静态特性 伏安特性动态特性 零偏置、正向偏置、反向偏置三种形态转换时,伏安特性随时间变化。主要参数与选型参考依据正向平均电流 IF,其有效值为1.57IF。选择二极管时,应按照
(一) 电力二极管结构基本特性静态特性 伏安特性动态特性 零偏置、正向偏置、反向偏置三种形态转换时,伏安特性随时间变化。主要参数与选型参考依据正向平均电流 IF,其有效值为1.57IF。选择二极管时,应按照
3月12日消息,国内首片碳化硅半导体晶片已经于日前在厦门顺利“诞生”。更可喜的是,作为厦门市政府赴美国招商的重点项目,瀚天泰成电子科技厦门有限公司所提供的碳化硅半导体外延晶片填补了国内该领域空白,公司同时
5月21日,江苏宏微科技深圳分公司宣布正式成立。宏微科技秉承“宏图之志,成于细微”的创业理念,深耕电力电子器件领域,其研发的FRED、VDMOS、IGBT分立器件及其模块也已应用到工业、新能源等各个领域。在成立大会上
由于全球金融危机和半导体行业的周期性波动,全球半导体产品出货量从 08年4季度到09年1季度经历了大幅下滑,主要经济体的半导体产品出货量都降到5年以来的最低水平。随着经济复苏,半导体行业实现了强劲复苏并步入景
由于全球金融危机和半导体行业的周期性波动,全球半导体产品出货量从 08年4季度到09年1季度经历了大幅下滑,主要经济体的半导体产品出货量都降到5年以来的最低水平。随着经济复苏,半导体行业实现了强劲复苏并步入景
据悉,在高压变频器中,约有一半的成本来自绝缘栅双极晶体管(IGBT)等电力电子元器件。相比中低压变频器,这类产品的价格与质量对高压变频器而言要重要得多。因此高压变频器厂商对电力电子元器件行业的关注从来没
近年来,我国电力电子器件产业技术水平不断提高,应用领域日益广泛,已逐渐成为国民经济发展中基础性的支柱产业之一。随着电力电子器件产业日益受到国家的重视,国家对其生产企业和科研机构的扶持力度也在逐步加大。
近年来,我国电力电子器件产业技术水平不断提高,应用领域日益广泛,已逐渐成为国民经济发展中基础性的支柱产业之一。随着电力电子器件产业日益受到国家的重视,国家对其生产企业和科研机构的扶持力度也在逐步加大。
摘要:单个IGBT摸块难以满足风力发电所需的大功率器件要求。本文阐述了采用串并联的方法提高耐压和扩大容量以满足风力发电机驱动器和大功率逆变器的要求,并对用于中压风力发电机驱动器和逆变器的IGBT摸块进行了分析
发展电力电子产业的首要意义在于节约电能,因此,高效率是我们对电力电子器件的基本要求。新型电力电子器件IGBT(绝缘栅双极型功率管)已在工业控制、消费电子、汽车电子等多个领域充当了节能的“急先锋”,