如图所示为高速积分电路。该电路中积分时间常数RtCt有较大的变化范围。如果不考虑积分电容Ct,A2是一个具有正反馈补偿的宽带交流放大器。A2的负反馈回路中加上电容Ct,则构成积分器。由于输入信号的低频和直流部分通
如图所示为实用微分电路。该电路为由通用运放构成。当微分器输入一个三角波时,其输出为方波,而输入信号频率由电路中电阻R1、R2和电容C决定。本电路要求R1的值约为R2的十分之一,即: R1=R2/10 而电容C的值由R2的值
如图所示是一个负脉冲触发的宽延时单稳态触发器,它提供了数秒的延时时间,用于定时精度要求不高的场合。图中延时主要决定于电容C。对于TTL电路来说,R的阻值一般为5~10kΩ。下表中列出了R=5.1kΩ时,延时的实测数
通过外部电容CSEL1、CSEL2可将低通滤波器的截止频率设置在1kHz以下,以满足窄带应用的需要,电路如图所示。电容量的计算公式如下:
从模拟及混合信号芯片,尤其是放大器类产品发展趋势来看,高集成度、兼顾速度与精度、低功耗、较宽的温度范围,以及软件可控等性能,将是未来各个模拟器件供应商的新产品呈现的新特点。对于某些中、低端电子产品的成
总括来说,总电容 (CT) 对于 TIA 的稳定性起了很重要的作用,CT 愈小那稳定性便愈高,而把 CT 尽量降低有两个方法,一是选择合适的运算放大器,二是施加一个反向偏压给光二极管,但这会引致有过量的电流和噪声出现。本文证实从实验中不同光二极管和补偿方法得出来的测量结果与理论非常吻合。
如图所示为光电耦合器组成的最简单的多谐振荡器。接通电源后,由于电容C两端的电压不能突变,以及电阻R的数值大于RL,则此时电源电压Ec主要加在R上,F点电位很低,发光二极管处于截止状态,随着电容的充电电压的增加
如图所示为性能优越功放电源的电路。它具有体积小、功率大、效率高的特点。 工作原理:交流电源输入经T1进行滤波后分成两路输出,一路去降压变压器T3,在T3的初级回路中串人了双向晶闸管KS,用来改变变压器T3的初级交
本设计实例仍需要一个电容,但该电容的值要低,是200mF而非4500mF,并在5ms电压不足期间保持100W。该方法提高了可靠性并降低了成本和尺寸。一个隐藏的特性是电源砖能在-36V~-75V输入范围内保持工作,甚至在大于-80V的浪涌下也能工作。图1描绘了如何利用该特性。该图描绘了正输入电压。“砖块”电源是隔离的,因此极性没关系,但更容易描绘正值解释。
如图所示为300kHz信号发生器。它由VT1、T1、VD4及相关元件组成压控振荡器。压控振荡器采用LC集电极调谐式,VTl为振荡管,由变容二极管VD4、电容C3~C6和变量器T1的1~3绕组的电感组成调谐回路,变容二极管VD4反偏工作
如图所示为60MHz晶体振荡器,主要是由晶体振荡电路和缓冲放大电路等组成。晶体三极管VT1为60MHz的晶体振荡器,振荡器的输出送至晶体三极管VT2的缓冲放大器进行信号放大,它的发射极有较大的反馈,使振荡器更稳定。电
如图所示为由INA155/156构成的直接驱动电容性输入的高速A/D变换器,图中G=10。输入电压经过INA155放大后送到12位高速低功耗采样A/D转换器ADS7818或ADS7834。ADS7818或ADS7834内部输入端为电容阵列(CDAC),即为电容
如图所示为由INA321/322构成的直接驱动电容性输入的A/D变换器。由于INA321/322输出为低阻,因此在高频工作时可以直接驱动电容性负载。输入电压经过INA321/322放大输出,直接送到12位高速低功耗采样A/D转换器ADS
如图所示为采用反馈电容改进动态特性的INA321/322放大电路。在反馈电阻RF两端并联反馈电容CF,其作用在于补偿反馈电阻、RG输入端等效电容及电路板杂散电容对高频信号的影响,使电路具有最佳的快速稳定时间。输出