当前,日益恶化的电磁环境,使我们逐渐关注设备的工作环境,日益关注电磁环境对电子设备的影响,从设计开始,融入电磁兼容设计,使电子设备更可靠的工作。电磁兼容设计主要
MOSFET可降低超级电容器的工作偏置电压,平衡电路的功耗,并可以根据温度、时间和环境变化而自动调节。在能量采集、办公自动化和备份系统等一系列新产品设计中,超级电容器
一.原理图1. RS485接口6KV防雷电路设计方案 图1:RS485接口防雷电路接口电路设计概述:RS485用于设备与计算机或其它设备之间通讯,在产品应用中其走线多与电源、功率信号等
高清数字内容过去只能承载于物理磁盘上,需要专用设备才可以播放;而今,宽带连接无处不在,高清数字内容可以从“云”端中以“流”的形式传送和定制到计
自从30多年前首次推出以来,MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步改进,目前我们已经拥有了对于毫欧姆RDSON值的低电压MOSFET。对于较高电压的器件,它正
今天在进行《磁性元件与开关电源设计技术》企业内训时;在开关电源设计技术-LLC设计调试技巧中对LLC的关键技术及易发生故障的状况进行了分析;LLC谐振电源如何实现ZVS应用及设
在切换音频和视频信号时,难点在于如何避免引入噪声,以及因设备电阻或附带电容导致的信号损失。虽然 CMOS 模拟开关既有效又高效,但设计人员需要了解关键的参数折衷才能正
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下面的一些系统要特别注意抗电磁干扰:1、微控制器时钟频率特别高,总线周期特别快的系统。2、系统含有大功率,大电流驱动电路,如产生火花的继电器,大电流开关等。3、含微
1. 关于什么是系统级封装(SiP),业界有一致的看法。实际上是五花八门。SiP的定义差异如此之大,以至于TechSearch International近期的SiP报告(1),第一章罗列出了来自一系列
1.MOSFET的开关过程 MOSFET的开通过程 MOSFET的关断过程 2.栅极驱动电路的类型直接耦合型脉冲变压器耦合型电容耦合型用于双管正激的驱动电路用于桥式变换器的驱动电路直
L、C元件称为“惯性元件”,即电感中的电流、电容器两端的电压,都有一定的“电惯性”,不能突然变化。充放电时间,不光与L、C的容量有关,还与充/放电
现在但凡打开SoC原厂的pcb Layout Guide,都会提及到高速信号的走线的拐角角度问题,都会说高速信号不要以直角走线,要以45度角走线,并且会说走圆弧会比45度拐角更好。事实
在有故障的液晶彩电中,波形的变化是千差万别的,但仍有一些规律可循,分析起来,主要有以下几种情况:(1)无波形这种情况反映出信号没有送到检测点,可能是电路有开路,使信
L、C元件称为“惯性元件”,即电感中的电流、电容器两端的电压,都有一定的“电惯性”,不能突然变化。充放电时间,不光与L、C的容量有关,还与充/放电
简单的电感电路在低阻抗电路中使用时效果很好,衰减超过40dB,但在高阻抗电路中可能一点效果没有。单个电容器的电路在高阻抗电路中效果很好,但在低阻抗电路中效果很差。多
随着科学技术的发展,DCS在工业控制中的应用越来越广泛。DCS控制系统的可靠性直接影响到工业企业的安全生产和经济运行,系统的抗干扰能力是关系到整个系统可靠运行的关键。
引言5G有望为全互联社会带来无数新的应用,而使数据传输呈指数性地增长。与此同时,5G NR(新空口)的设计需要支持数十亿台互联设备,这又会推动全球网络中的基站数量大幅增长
RTC(Real_Time Clock)为整个电子系统提供时间基准,MCU、MPU、CPU均离不开RTC电路设计,在设计、应用RTC单元时,常常会发现延时、超时或者功耗过大现象,如何解决RTC精度以
开关型变换器噪声的干扰路径为干扰源和被干扰设备提供了耦合条件,对其共模干扰和差模干扰的研究尤为重要。主要分析了电路主要元器件的高频模型以及共模和差模噪声的电路模