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电子制作手工焊接技术全攻略
手工焊接的工具任何电子产品，从几个零件构成的整流器到成千上万个零部件组成的计算机系统，都是由基本的电子元件器件和功能构成，按电路工作原理，用一定的工艺方法连接而
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关于MOS管失效的六大原因
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调
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电源地与信号地关系的详细解析
电源地主要是针对电源回路电流所走的路径而言的，一般来说电源地流过的电流较大，而信号地主要是针对两块芯片或者模块之间的通信信号的回流所流过的路径，一般来说信号地流
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继电器触点保护和触点的事项
看到一张网上的图描述触点的接通时间的过程分析的，非常不错，先放在这里。 我们知道其实继电器的触点保护要比Mosfet更加残酷，一般继电器的负载要比MOSFET大很多。常见的
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钽电容的三宗罪
引言看到某某的电容爆炸了，我也想就一些问题给予一些补充，因为这玩意是很危险的，先上图一张。这是在网上收集到的恐怖的一幕，钽电容爆炸了，它会发明火，所以很多厂家都
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最实用的GPS接收器测试详解
从波音 747 客机的导航操作、汽车驾驶每天都会使用的 GPS 导航系统，到寻宝者要找到深藏于森林某处的宝藏，GPS 技术已经迅速融入于多种应用中。正当创新技术不断提升GPS 接
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如何利用单个反馈源实现任意量级偏置电流网络
利用运放反馈与基准电压生成任意大小的直流电流是一个简单、直接的过程。但是，假设须要生成一些任意数量(以N为例)的电流沉/源(current sink/source)，而每个电流沉/源的大
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声矢量传感器研究进展
声矢量传感器由传统的无指向性声压传感器和偶极子指向性质点振速传感器复合而成,可以同步共点测量声场中一点处的声压和质点振速若干正交分量,由此得到的幅度和相位信息为解
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基于ARM的嵌入式的USB接口设计
随着嵌入式系统的广泛应用，各种小型终端需要开发出与外界联系的USB接口。目前，常用的技术有两种。基于单片机的USB接口，特点是需要外置芯片，电路复杂，留下的CPU资源不多
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基于单片机的智能窗控制系统设计方案
一、引言随着电子技术的不断发展， 家庭中的许多电器设备如彩电、冰箱、空调等都已贴上了智能化的标签， 为提高人们的生活质量做出了贡献。但遗憾的是， 居室的眼睛---窗户
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基于DSP的大功率多轴控制系统
随着机器人技术的不断发展，机器人的应用领域正逐渐多样化，其中，特种机器人是机器人技术的一个重要分支。与在结构化条件下作业的普通机器人相比，特种机器人将面临更为复
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认识反激中的RCD吸收电路
反激式开关电源结构简单，应用广泛，但其变压器漏感大，开关管存在电压尖峰，在大部分低功率应用场合都会采用简单易实现的RCD钳位电路来减缓电压尖峰，这里将简单介绍RCD电
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借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小工业元件占位面积
近日在中国深圳，我遇到了一位在一家信息娱乐系统制造商任职的设计师。“您碰巧在设计中用过60V的负载开关吗?”我问。他说用过，并告诉我他的电路板包含了大约10个30V-60V的小外形晶体管(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，您有遇到过空间受限的问题吗?”我问。他确实碰到过，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面积仅为1.5mm × 0.8mm (1.2mm2) (参见图1)
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如何选择电压测试模式
在工程师的日常测试中，有时会发现用万用表测试的结果与许多高精度的仪器测试的结果并不一致，工程师往往会陷入迷茫，到底哪个值才是正确的?原来，选择不同的测量模式，会导
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功率MOS管的五种损坏模式详解
第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同)，并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载
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单片机：时钟周期，机器周期，指令周期，总线周期
时钟周期：时钟周期也称为振荡周期，定义为时钟脉冲的倒数(可以这样来理解，时钟周期就是单片机外接晶振的倒数，例如12M的晶振，它的时间周期就是1/12us)，是计算机中最基本
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手机快充技术原理与对比分类
本文为您讲述快充技术的含义，手机快充技术原理，快充的几种模式以及现阶段市面上主要的几种快充技术解决方案及其各自之间的对比，提供您作为参考使用。首先，什么是快充技
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EMC防护电路PCB设计
快速ESD 脉冲可能在电路板上相邻(平行)导线间产生感应电压。如果上述情况发生，由于将不会得到保护，因此感应电压路径将成为另一条让浪涌到达IC的路径。因此，被保护的输入
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IC静电放电的测试方法
1 前言静电放电(ESD，electrostatic discharge)是电子工业最花代价的损坏原因之一，它会影响到生产合格率、制造成本、产品质量与可靠性以及公司的可获利润。随着IC产品的制
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Micro-LED三种驱动方式对比，哪种更具优势？
Micro-LED是电流驱动型发光器件，其驱动方式一般只有两种模式：无源选址驱动(PM：Passive Matrix，又称无源寻址、被动寻址、无源驱动等等)与有源选址驱动(AM：Active Matri
GB20
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