宜普电源转换公司为功率系统设计工程师扩大简单易用的DrGaNPLUS评估板系列,使工程师非常容易对他们所设计并采用卓越的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的功率系统进行评估,
高度集成的DC/DC转换器适用于空间有限的汽车与通信应用同时效率可达到95%21ic电源网讯 近日,德州仪器(TI)宣布推出一款配备PMBus/I2C数字接口的四通道降压型DC/DC转换器,此
TI C2000实时控制微控制器 (MCU) 和powerSUITE中的全新图形化软件工具可用于控制数字功率级德州仪器 (TI) 日前发布了全新的低成本电源设计BoosterPack,极大的简化了
21ic电源网讯 全球知名半导体制造商ROHM宣布开始量产并销售电源管理IC(以下称“PMIC”)“BD2613GW”。该产品面向Intel®公司的平板平台用14nm新一代Atom 处理器开发而成,其高集成度非常有助于平板产品的超薄化,并且其行业领先的功率转换效率还非常有助于平板产品实现更低功耗。
器件是业内首颗通过AEC-Q101认证的完全无铅的MOSFET,占位面积8mm x 8mm日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK® 8x8L封装40V
英飞凌科技股份公司今日推出了OptiMOS™ 5 25V和30V产品家族,它们是采用标准分立式封装的新一代功率MOSFET。同时,英飞凌还发布了名为Power Block的新型功率模组和集
器件采用小尺寸CLP0603封装,高度0.27mm,典型电容低至0.29pF日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布新的双向对称(BiSy)单线ESD保护二极管---VBUS05B1-SD0,其采用
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一款双通道输出同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3887,该器件具有基于 I2C 的 PMBus 接口以实现数字电源系统管理。LTC3887
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出同步降压型 DC/DC 转换器 LT3744,该器件专为提供恒定电流以驱动大电流 LED 而设计。LT3744 的 3.3V 至 36V 输入电压范
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 3.5V 至 100V、单通道和双通道电压监视器 LTC2965 和 LTC2966,器件仅吸收 6µA 静态电流。其他替代的电压监视解
21ic电源网讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出新的稳压器ZXTR2105F,该产品把晶体管、齐纳二极管及电阻器单片式集成起来,有效在高达60V的输入情况下提供5V 15mA的
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一个新的降压-升压型微型模块 (µModule®) 稳压器系列。LTM8055 和 LTM8056 可无缝地调节输出电压等于、高于
产品特点● 满载效率高达90%,轻负载效率最高可达78%● 空载功耗低至0.12W● 满足UL/EN60950认证● 4:1宽输入电压范围● 隔离电压1500VDC/3000VDC/6000VDC● 工作温度:-40
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双路 3V 至 30V 低功率运算放大器 LT6023,该器件具 30µV 最大输入失调电压,並可在 60µs 稳定至 0.01%。
AS3701微型PMIC包含充电电路、多路电源输出、保护功能及I2C接口21ic电源网讯 ams(艾迈斯)今日发布一款集成电源管理单元AS3701。该器件具有极小的占位面积,非常适合应用于可
LM5175可通过减少电磁干扰 (EMI) 实现最高功效21ic电源网讯 近日,德州仪器推出一款全新的宽VIN,四开关降压-升压控制器,此控制器可以通过减少电磁干扰 (EMI) 来达到最高
市场上最高电流POL产品满足联网应用日益增长的功率需求CUI Inc宣布推出最高电流数字负载点POL系列产品NDM3Z-90,这些器件专为满足现今最先进的集成电路产品快速增长的功率
全集成GaN FET功率级原型机帮助电源设计人员迅速了解GaN的极致优势21ic电源网讯 近日,德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级原型机。
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两家公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在
21ic电源网讯 EPC9115 DC/DC总线转换器展示出配备专有驱动器的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在一个传统、已调节型的隔离式1/8砖式DC/DC转换器的拓扑可以发挥的优越性能。宜