如图所示为由INA337构成的负载电流的高端分流测量电路。该电路采用串联取样电阻Rs在电源与负载之间,负载电流IL流过Rs时将产生电压降,此电压降反映了负载电流变化。将Rs上电压降作为输入电压,经过INA337放大后输出
如图所示为由OPA111构成输入缓冲器的漏电电流测量电路。D1、D2为晶体管2N3904,将其基极与集电极短接(发射极开路)。最大为±200V的电源加到被测器件,漏电电流流过100MΩ取样电阻,在取样电阻上形成电压降,电压
如图所示,芯片电源端要用1μF电容滤波,且应尽可能靠近芯片电源脚放置。信号由2脚和3脚输入,信号源内阻应等于INA105输入电阻以确保有高的共模抑制比。信号源如有5Ω失配电阻,则共模抑制比将下降约80dB。如果已
如图所示为由INA125构成的5V单电源虚地输出电桥测量电路。负载两端电压由INA125的11脚(+)和5脚(-)提供,即5脚作为负载两端电压的相对“地”。而5脚与4脚相连,4脚输出的精确基准电压2.5V即为相对“地”的电位,因此
如图所示为由RF2103P构成的射频放大器原理电路。射频信号(RF)由1脚输入,经过前置放大器、末级功率放大器(FPA)放大后由14脚输出。芯片内部1脚到前置放大器之间有一个隔直耦合电容,因此无须在1脚外加耦合电容。
如图所示为由RF2103P构成的915MHz射频放大器的电路。P1为插座,其中P1-1接电源Vcc,P1-2接地,P1-3接功率降控制电压VB;J1为RF输入插座;J2为RF输出插座。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=evt.y
如图所示为由RF2104构成的830MHz***率放大器原理电路。射频信号(RF)由5脚输入,经过前置放大器、末级功率放大器放大后由12脚输出。5脚有直流电压,因此在5脚外加一个隔直耦合电容,同时并联一个分流电感(10nH),5脚输
RF2104构成的420MHz中功率放大器原理电路图: