资本加速涌入!GaN和SiC时代即将到来
第三代半导体火爆下的烂尾隐忧及国内外技术差距的认知偏差
化解第三代半导体的应用痛点:策略与实践
碳化硅功率器件上下游产业链:衬底和外延的重要性
克服碳化硅制造挑战,助力未来电力电子应用
英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V,直流母线电压最高可达1500 VDC, 效率更高,设计更简单
ASM推出全新PE2O8碳化硅外延机台
英飞凌推出HybridPACK™ Drive G2 Fusion,将硅和碳化硅结合到用于电动汽车的先进电源模块中
意法半导体第四代碳化硅功率技术问世:为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制
设计下一代碳化硅数据中心冷却系统