碳化硅

蔚华科与恩艾（艾默生/NI）扩大结盟合作 共建亚太区首座功率半导体动态可靠度验证实验室

新竹2025年1月14日 /美通社/ -- 半导体封装测试解决方案专业品牌蔚华科技（TWSE: 3055）与经销合作伙伴恩艾（艾默生/NI）宣布将共同建置亚太区首座功率半导体动态可靠度验证实验室，瞄准亚太地区功率半导体芯片在车规验证的需求，为亚太地区半导体制造业客户就近提供验证服...

深化绿色承诺，ST与彭水共绘可持续发展新篇章

作为全球最早承诺实现碳中和的半导体企业之一，意法半导体将可持续发展视为释放企业竞争力，推动产业增长的重要手段。通过研发碳化硅等绿色技术和产品，坚持可持续发展的方式，打造为利益相关者创造长远价值的可持续企业，助力全球绿色生产力的蓬勃发展。

电装与富士电机联手强化半导体供应链，助推碳化硅技术发展

近日，株式会社电装（以下简称“电装”）与富士电机株式会社（以下简称“富士电机”）共同推出的“半导体供应保障计划”获得批准并正式启动。该计划总投资规模达2,116亿日元，其中包含705亿日元的专项补助，旨在通过碳化硅（SiC）功率半导体的技术升级和生产能力提升，进一步加强供应链的稳定性，以更好地满足市场需求。

全方位剖析：英飞凌如何领跑“低碳转型”绿色赛道？

作为全球领先的半导体供应商，英飞凌凭借多年积累的丰富半导体生产工艺技术，先后推出了一系列基于碳化硅（SiC）的创新产品和解决方案，特别是今年全新推出的CoolSiC™ MOSFET Generation 2（G2）技术和XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET半桥模块，更是将碳化硅的性能优势发挥到极致，进一步推动了整个半导体领域的低碳化进程。

英飞凌：30年持续领跑碳化硅技术，成为首选的零碳技术创新伙伴

2024年，全球极端天气频发，成为有气象记录以来最热的一年，飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下，推动社会的绿色低碳转型，提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。在经济社会踏“绿”前行的过程中，第三代半导体尤其是碳化硅作为关键支撑，如何破局飞速发展的市场与价格战的矛盾，除了当下热门的新能源汽车应用，如何在工业储能等其他应用市场多点开花?在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区高管团队从业务策略、商业模式到产品优势等多个维度，全面展示了英飞凌在碳化硅领域30年的深耕积累和差异化优势，系统阐释了如何做“能源全链条的关键赋能者” 。

英飞凌：30年持续领跑碳化硅技术，成为首选的零碳技术创新伙伴

在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区高管团队从业务策略、商业模式到产品优势等多个维度，全面展示了英飞凌在碳化硅领域30年的深耕积累和差异化优势，系统阐释了如何做“能源全链条的关键赋能者”。

Bourns 全新推出符合 AEC-Q200 标准车规级高隔离反激式变压器系列

全新变压器在紧凑组件尺寸中实现卓越的隔离和电气间隙/爬电距离

负债超5亿元，又一国家级高新技术企业破产！

根据全国企业破产重整案件信息网显示，北京世纪金光半导体有限公司近日新增一则“破产清算”信息。

Power Integrations面向800V汽车应用推出新型宽爬电距离开关IC

1700V InnoSwitch™3-AQ反激式开关符合IEC 60664-1绝缘标准

雷诺旗下安培与意法半导体签署碳化硅长期供应协议，合作开发电动汽车电源控制系统

2024年12月5日，中国 – 雷诺集团旗下纯智能电动汽车制造公司安培 (Ampere) 与服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 今天宣布了下一步战略合作行动，雷诺集团与意法半导体签署了一份从 2026 年开始为安培长期供应碳化硅 (SiC) 功率模块的供货协议，该协议是雷诺集团与意法半导体为安培超高效电动汽车逆变器开发电源控制系统 (powerbox) 的合作计划的一部分。功率模块是电源控制系统的关键元件，安培和意法半导体合作优化功率模块，确保电驱系统具有很强的性能和竞争力，同时充分发挥安培在电动汽车技术方面的特长和意法半导体在先进功率元器件研制领域的独到之处。

唯样 x 瞻芯电子强强联手，助力SiC功率半导体国产化替代

法雷奥与罗姆联合开发新一代功率电子领域

业界先进的汽车零部件制造商Valeo Group（以下简称“法雷奥”）与全球知名半导体及电子元器件制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）将通过结合双方在功率电子领域的专业知识和技术优势，联合开发面向牵引逆变器的新一代功率模块。作为双方合作的第一步，罗姆将为法雷奥的新一代动力总成解决方案提供碳化硅（SiC）塑封型模块“TRCDRIVE pack™”。

资本加速涌入!GaN和SiC时代即将到来

随着全球科技产业的飞速发展，半导体材料作为信息技术的基石，正经历着前所未有的变革。其中，氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表，正凭借其出色的性能吸引着大量资本的涌入。这标志着GaN和SiC时代即将到来，将为电子、通信、能源等多个领域带来革命性的变化。

第三代半导体火爆下的烂尾隐忧及国内外技术差距的认知偏差

近年来，第三代半导体因其优异的物理特性和广泛的应用前景，迅速成为全球科技产业关注的焦点。这类半导体材料，主要包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)和氧化锌(ZnO)，在电力电子、光电子和无线射频等领域展现出了巨大的潜力。尤其是在新能源汽车、5G通讯、光伏发电等领域，第三代半导体正在逐步取代传统的硅基半导体，成为新一代的技术核心。然而，在这一片火热的背后，隐藏着诸多烂尾项目的隐忧以及国内外技术差距的认知偏差。

化解第三代半导体的应用痛点：策略与实践

第三代半导体，以其独特的宽禁带特性，如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，在功率电子、射频电子和光电子器件领域展现出了巨大的应用潜力。然而，尽管这些材料在性能上远超传统半导体，其广泛应用仍面临诸多挑战和痛点。

碳化硅功率器件上下游产业链：衬底和外延的重要性

在半导体产业的快速发展中，碳化硅(SiC)作为一种新型的宽禁带半导体材料，正逐步成为功率半导体行业的重要发展方向。碳化硅功率器件以其耐高温、耐高压、高频、大功率和低能耗等优良特性，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域展现出巨大的应用潜力。而碳化硅功率器件的上下游产业链中，衬底和外延作为关键环节，对于器件的性能和成本具有至关重要的影响。

克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用

几十年来，硅(Si)一直是半导体行业的主要材料——从微处理器到分立功率器件，无处不在。然而，随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。

英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V，直流母线电压最高可达1500 VDC， 效率更高，设计更简单

【2024年10月23日, 德国慕尼黑讯】如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流链路电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A至80 A，是光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用的完美选择。

ASM推出全新PE2O8碳化硅外延机台

全新推出的PE2O8碳化硅外延机台是对行业领先的ASM单晶片碳化硅外延机台产品组合（包含适用于6英寸晶圆的 PE1O6 和适用于8英寸晶圆的 PE1O8）的进一步增强。该机台采用独立双腔设计，兼容6英寸和8英寸晶圆，可实现增加产量的同时，降低成本。

英飞凌推出HybridPACK™ Drive G2 Fusion，将硅和碳化硅结合到用于电动汽车的先进电源模块中

【2024年10月15日，德国慕尼黑讯】经济实惠与高性能、高效率相结合，是电动汽车走向更广阔市场的关键所在。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布推出HybridPACK™ Drive G2 Fusion，为电动汽车领域的牵引逆变器确立了新的电源模块标准。HybridPACK™ Drive G2 Fusion是首款结合英飞凌硅（Si）和碳化硅（SiC）技术的即插即用电源模块。这一先进解决方案在性能和成本效益之间实现了理想的平衡，为逆变器的优化提供了更多选择。