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第三代半导体火爆下的烂尾隐忧及国内外技术差距的认知偏差
近年来，第三代半导体因其优异的物理特性和广泛的应用前景，迅速成为全球科技产业关注的焦点。这类半导体材料，主要包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)和氧化锌(ZnO)，在电力电子、光电子和无线射频等领域展现出了巨大的潜力。尤其是在新能源汽车、5G通讯、光伏发电等领域，第三代半导体正在逐步取代传统的硅基半导体，成为新一代的技术核心。然而，在这一片火热的背后，隐藏着诸多烂尾项目的隐忧以及国内外技术差距的认知偏差。
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化解第三代半导体的应用痛点：策略与实践
第三代半导体，以其独特的宽禁带特性，如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，在功率电子、射频电子和光电子器件领域展现出了巨大的应用潜力。然而，尽管这些材料在性能上远超传统半导体，其广泛应用仍面临诸多挑战和痛点。
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碳化硅功率器件上下游产业链：衬底和外延的重要性
在半导体产业的快速发展中，碳化硅(SiC)作为一种新型的宽禁带半导体材料，正逐步成为功率半导体行业的重要发展方向。碳化硅功率器件以其耐高温、耐高压、高频、大功率和低能耗等优良特性，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域展现出巨大的应用潜力。而碳化硅功率器件的上下游产业链中，衬底和外延作为关键环节，对于器件的性能和成本具有至关重要的影响。
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克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用
几十年来，硅(Si)一直是半导体行业的主要材料——从微处理器到分立功率器件，无处不在。然而，随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。
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英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V，直流母线电压最高可达1500 VDC， 效率更高，设计更简单
【2024年10月23日, 德国慕尼黑讯】如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流链路电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A至80 A，是光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用的完美选择。
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ASM推出全新PE2O8碳化硅外延机台
全新推出的PE2O8碳化硅外延机台是对行业领先的ASM单晶片碳化硅外延机台产品组合（包含适用于6英寸晶圆的 PE1O6 和适用于8英寸晶圆的 PE1O8）的进一步增强。该机台采用独立双腔设计，兼容6英寸和8英寸晶圆，可实现增加产量的同时，降低成本。
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英飞凌推出HybridPACK™ Drive G2 Fusion，将硅和碳化硅结合到用于电动汽车的先进电源模块中
【2024年10月15日，德国慕尼黑讯】经济实惠与高性能、高效率相结合，是电动汽车走向更广阔市场的关键所在。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布推出HybridPACK™ Drive G2 Fusion，为电动汽车领域的牵引逆变器确立了新的电源模块标准。HybridPACK™ Drive G2 Fusion是首款结合英飞凌硅（Si）和碳化硅（SiC）技术的即插即用电源模块。这一先进解决方案在性能和成本效益之间实现了理想的平衡，为逆变器的优化提供了更多选择。
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意法半导体第四代碳化硅功率技术问世：为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制
2024年9月27日，中国– 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术。公司计划在 2027 年前推出更多先进的 SiC 技术创新成果，履行创新承诺。
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设计下一代碳化硅数据中心冷却系统
数据中心是数字世界的支柱,容纳了为互联网、云计算和其他数据驱动服务提供动力的大型服务器。随着对这些服务的需求增加,他们消耗的能源也会增加。
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意法半导体 X 迈凯伦：超级跑车化身电驱的狂野巨兽
过去几十年来，一直都是由内燃机为超级跑车提供充沛动力，并搭配精心调校的底盘，从而打造出独一无二的驾乘感受。而在电气化时代，像迈凯伦应用技术公司这样的企业都面临着一个巨大的挑战，那就是如何利用电气化技术制造出一辆血统纯正的超级跑车。
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英飞凌于马来西亚启用全球最大且最高效的碳化硅功率半导体晶圆厂
马来西亚总理、吉打州州务大臣与英飞凌管理层共同出席了新晶圆厂一期项目的生产运营启动仪式。 新晶圆厂将进一步巩固和增强英飞凌在全球功率半导体市场的领导地位。 强有力的客户支持与承诺以及重要的设计订单为持续扩建提供了支撑。 居林晶圆厂100%使用绿电并在运营实践中采...
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英飞凌于马来西亚启用全球最大且最高效的碳化硅功率半导体晶圆厂
•马来西亚总理、吉打州州务大臣与英飞凌管理层共同出席了新晶圆厂一期项目的生产运营启动仪式。 •新晶圆厂将进一步巩固和增强英飞凌在全球功率半导体市场的领导地位。 •强有力的客户支持与承诺以及重要的设计订单为持续扩建提供了支撑。 •居林晶圆厂100%使用绿电并在运营实践中采取先进的节能和可持续举措。
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罗姆将亮相2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）将于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：11号馆D14）。届时，将聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时，罗姆工程师还将在现场举办的“宽禁带半导体器件— 氮化镓及碳化硅论坛”以及“电动汽车论坛”等同期论坛上发表演讲，分享罗姆最新的功率电子技术成果。
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安森美公布 2024 年第二季度业绩
自由现金流同比增长约 2.5亿美元
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旭化成微电子和Silicon Austria Labs在车载高压应用中成功验证eFuse技术
旭化成微电子株式会社(以下简称“旭化成微电子”)和欧洲的电子与软件系统研究机构Silicon Austria Labs GmbH(以下简称“SAL”)联手，在使用碳化硅(SiC)功率器件的高压应用中，成功验证了电子保险丝(eFuse)技术。获得的验证结果显示，该eFuse技术有望大幅提升车载充电器(On Board Charger：OBC)等的系统安全性，可减少元件数量并降低维护成本。
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安森美将为大众汽车集团的下一代电动汽车提供电源技术
安森美凭借其最新一代EliteSiC M3e平台，成为全优化电源系统解决方案的主要供应商
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碳化硅双脉冲测试中正向干扰、负向干扰你知道吗？
以下内容中，小编将对碳化硅的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对碳化硅的了解，和小编一起来看看吧。
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安森美加速碳化硅创新，助力推进电气化转型
推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET，显著提升高耗电应用的能效
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对碳化硅晶体生长行业微小缺陷检测
为了满足对碳化硅 (SiC) 晶体日益增长的需求，世界需要在不牺牲质量的情况下大幅提高产量。如今，SiC 晶体对于制造更小、更快、更高效的芯片和电力电子系统至关重要。然而，如果没有能够及时检测出微小瑕疵的先进计量工具，SiC 晶体生长行业基本上是盲目操作，导致不可接受的缺陷和昂贵的产品损失。
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碳化硅模块助力更可靠更高效的换电站快充电路设计
在电动车发展的过程当中，充电和换电是两个同时存在的方案。车载充电OBC可以通过两相或三相电给汽车充电，但其无法满足快充的需求。现在充电桩发展迅速，已经有600kW的超充出现，充电速度越来越逼近换电速度，但对电网压力很大，还需要时间普及。换电则采取另外的方式，古代加急文书传递时，士兵在驿站更换体力充沛的马匹继续前行就是这种理念。
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