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日企日机装设立深紫外LED工厂 预计年中投产
位于日本东京的日机装公司表示，公司正在设立新的深紫外LED工厂，目标是在2014年中开始投产，UVB和UVC LED光源年产能超过100万组。 该司将在北美SPIE光电展推出新的深紫外LED产品线，并于圣佛朗西斯科的
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日本日机装公司设立深紫外LED生产厂
LED半导体照明网讯 位于日本东京的日机装公司表示，公司正在设立新的深紫外LED工厂，目标是在2014年中开始投产，UVB和UVC LED光源年产能超过100万组。该司将在北美SPIE光电展推出新的深紫外LED产品线，并
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冷热交替 LED产业山南山北不同天
21ic讯 临近岁末，还没来得及庆祝丰收的喜悦，不少LED企业就开始忙于明年的规划之中。LED背光产业发展趋向平缓，LED照明应用市场将成为2014年企业角逐的重头戏。无论是国内还是国外，LED企业都是磨刀霍霍，
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陕西LED芯片技术异军突起 每年产值增速20%
近日，从正在西安召开的“2013LED技术发展研讨会”上了解到，目前，西安省基本形成了涵盖外延片、芯片、封装、应用和生产装备较为完整的产业链，每年的产值以20%-30%的增速在发展。 这两天，西安中为光
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陕西LED芯片技术水平提升 年产值增速20%
记者从正在西安召开的“2013LED技术发展研讨会”上了解到，目前陕西省的LED芯片研发、生产已居全国领先水平，每年的产值以20%-30%的增速在发展。 这两天，西安中为光电科技
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陕西LED芯片技术异军突起，每年产值增速20%
近日，从正在西安召开的“2013LED技术发展研讨会”上了解到，目前，西安省基本形成了涵盖外延片、芯片、封装、应用和生产装备较为完整的产业链，每年的产值以20%-30%的增速在发展。 这两天，西安中为光电
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研发新热点：深紫外LED医疗将成大热门
深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波，在杀菌消毒、医疗、生化检测、高密度信息储存和保密通讯等领域有重大应用价值。与汞灯紫外光源相比，基于氮化铝镓（AlGaN）材料的深紫外发光二极管（L
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深紫外LED医疗研发成新热点
21ic电子网讯：深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波，在杀菌消毒、医疗、生化检测、高密度信息储存和保密通讯等领域有重大应用价值。与汞灯紫外光源相比，基于氮化铝镓（AlGaN）材料的深紫外发光二极管（
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深紫外LED消毒强 医疗研发成新热点
深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波，在杀菌消毒、医疗、生化检测、高密度信息储存和保密通讯等领域有重大应用价值。与汞灯紫外光源相比，基于氮化铝镓（AlGaN）材料的深紫外发光二极管（LED）具备坚固、节
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美国开发出新型紫外LED 可用于便携灯具
据悉，美国俄亥俄州立大学正在开发一种新型紫外LED，它可能为我们带来更便携的灯具和更低成本的技术。这项专利未决的LED，创造了一个比市面上的商用紫外LED更为精确的紫外光波长，并可以在更低的电压下运行，比其他用
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美国新型紫外LED灯 可用于便携式装置
美国俄亥俄州立大学正在开发一种新型紫外LED，它可能为我们带来更便携的灯具和更低成本的技术。 这项专利未决的LED，创造了一个比市面上的商用紫外LED更为精确的紫外光波长，并可以在更低的电压下运行，比其他用于创
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紫外LED照射器的人机交互模块设计
摘要：随着紫外LED照射器在工业中的应用，普通的人机交互模块已经无法满足复杂的工业需求，介绍了一种人际交互模块在紫外LED照射器中的应用设计，在硬件上利用Blackfin531的PPI接口，并且基于Visual DSP++5．0开发环
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首尔半导体在韩国及国际注册突破一万项LED专利
世界著名LED专业企业首尔半导体今日宣布，公司已申请、注册并获得10,000余项国内外LED专利。首尔半导体是拥有最多专利数量的全球性LED供应商之一，在韩国及全球LED制造业实现取得了无与伦比的骄人纪录。首尔半导体投
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首尔半导体在韩国及国际注册突破10,000项LED专利
韩国首尔—世界著名LED专业企业首尔半导体2月1日宣布，公司已申请、注册并获得10,000余项国内外LED专利。首尔半导体是拥有最多专利数量的全球性LED供应商之一，在韩国及全球LED制造业实现取得了无与伦比的骄人纪录。
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斯坦利电气开发出利用玻璃封装的紫外LED
斯坦利电气开发完成了利用玻璃封装的紫外LED，由于采用无机材料作为封装材料，因此由紫外线导致的性能劣化较小，与使用树脂材料时相比，延长了组件寿命。斯坦利电气希望开拓此前无法使用LED的严酷环境(比如高温、多湿
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Aquionics与Dot Metrics合作将推出紫外LED消毒产品
美国Aquionics公司近日与专注于紫外LED的Dot Metrics公司签署联合研发合作协议，共同开发紫外LED消毒产品，预期几个月后将在市场上推出新的消毒产品。 由于汞灯发出的紫外光消毒还有很多缺点，而紫外LED则可以完全克
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日本东北大学与罗姆将ZnO类紫外LED功率提高至100ΜW
日本东北大学与罗姆将ZnO（氧化锌）类紫外LED的发光强度提高到了100μW，为原来产品的1万倍。这一发光强度是InGaN与GaN类紫外LED的约110，“明确了追赶GaN类产品的前进道路”（东北大学原子分子材料科学高等研究机构
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日本将ZnO类紫外LED光强提高到原产品的1万倍
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将ZnO(氧化锌)类紫外LED的发光强度提高到了100μW，为原来产品的1万倍，是InGaN与GaN类紫外LED的约110倍。 据研究小组介绍，制造LED元件时采用了MBE(分子束外延)法，并开发出了不使用
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日本一研究机构将ZnO类紫外LED功率提高至100ΜW
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将ZnO(氧化锌)类紫外LED的发光强度提高到了100μW，为原来产品的1万倍。这一发光强度是InGaN与GaN类紫外LED的约110倍。 东北大学原子分子材料科学高等研究机构教授川崎雅司表示，此项
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日本一研究机构将ZnO类紫外LED功率提高至100μW
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将ZnO（氧化锌）类紫外led的发光强度提高到了100μW，为原来产品的1万倍。这一发光强度是InGaN与GaN类紫外LED的约110倍。 东北大学原子分子材料科学高等研究机构教授川崎雅司表示，此
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