-
英特尔美光推20纳米级NAND芯片 下半年量产
据国外媒体报道，英特尔和美光周四推出一种新型闪存存储制造技术，这一技术使电子存储芯片设计更加密集化，有利于缩小产品占据的空间。此款20纳米级的 NAND芯片产品估计可在今年下半年大量生产。英特尔和美光曾经合
-
英科学家成功研制纳米级光学显微镜
英国和新加坡研究人员1日报告说，他们制造出能够观测50纳米大小物体的光学显微镜，这是迄今观测能力最强的光学显微镜，也是世界上第一个能在普通白光照明下直接观测纳米级物体的光学显微镜。 英国曼彻斯特大学
-
海力士导入30纳米级DRAM制程
海力士紧跟三星电子之后，将把DRAM的生产制程转换为30纳米级制程。海力士29日宣布，已开发出2款计算机用DRAM产品，将首度采用30纳米级制程量产。据海力士表示，计划采用38纳米制程生产4Gb和2Gb 2种产品，2011年第1季
-
海力士导入30纳米级DRAM制程
海力士(Hynix)紧跟三星电子(SamsungElectronics)之后，将把DRAM的生产制程转换为30纳米级制程。海力士29日宣布，已开发出2款计算机用DRAM产品，将首度采用30纳米级制程量产。据海力士表示，计划采用38纳米制程生产4G
-
三星2011年下半推出20纳米级制程DRAM
三星电子(SamsungElectronics)2011年将致力于提升DRAM存储器半导体制程技术水平，再拉大与其它竞争业者间差距。三星半导体事业部专务赵南成表示，2010年采用30纳米级制程制造DRAM，2011年上半计划采行20纳米级制程推
-
三星2011年下半推出20纳米级制程DRAM
三星电子(SamsungElectronics)2011年将致力于提升DRAM存储器半导体制程技术水平，再拉大与其它竞争业者间差距。三星半导体事业部专务赵南成表示，2010年采用30纳米级制程制造DRAM，2011年上半计划采行20纳米级制程推
-
三星计划2011年下半推出20纳米级制程DRAM
三星电子(Samsung Electronics) 2011年将致力于提升DRAM存储器半导体制程技术水平，再拉大与其它竞争业者间差距。三星半导体事业部专务赵南成表示，2010年采用30纳米级制程制造DRAM，2011年上半计划采行20纳米级制程
-
美研发出测量纳米级材料相互作用的探针
本报华盛顿11月17日电（记者毛黎）美国加州大学洛杉矶分校17日表示，该校纳米系统科学主任保罗·维斯领导的研究小组开发出了研究纳米级材料相互作用的工具——双扫描隧道显微和微波频率探针，可用于测量单个分子和接
-
新型纳米级电接触电阻测量技术
纳米级电气特性研究纳米级材料的电气特性通常要综合使用探测和显微技术对感兴趣的点进行确定性测量。但是，必须考虑的一个额外因素是施加的探针压力对测试结果的影响，因为很多材料具有压力相关性，压力会引起材料的
-
IBM研发出全球最小3D地图：一粒盐包容千张图
据报道，IBM科学家近日研发出了世界上最小的3D地图。到底有多小呢？生活中的一颗盐粒就能包含1000幅这样的地图。 该3D地图基于高分子聚合物表面的大小为22 X 11微米，包含50万个像素，每个像素的面积为20平方纳米。生
-
新型纳米级电接触电阻测量的新技术
纳米级电气特性 研究纳米级材料的电气特性通常要综合使用探测和显微技术对感兴趣的点进行确定性测量。但是，必须考虑的一个额外因素是施加的探针压力对测试结果的影响，因为很多材料具有压力相关性，压力会引起
-
新型纳米级电接触电阻测量的新技术
纳米级电气特性 研究纳米级材料的电气特性通常要综合使用探测和显微技术对感兴趣的点进行确定性测量。但是，必须考虑的一个额外因素是施加的探针压力对测试结果的影响，因为很多材料具有压力相关性，压力会引起
-
英特尔、Micron联手，志重夺NAND工艺领先地位
英特尔和Micron正在NAND工艺技术之战中争取领先地位。在近期的电话会议上，Micron宣布自己的20纳米级别NAND产品将在很短时间内出样。Micron没有指明具体的工艺，很多人预期他们将在2010年年初公布更多细节。 预计Mic
-
借力纳米“升压转换器”，树木能源研究获进展
树木可以作为电源，但它们的电压过低，无法为常规电池充电。位于西雅图的华盛顿大学研究人员近期演示了一个纳米级的“升压转换器”，发掘了树木生成的超低压电势。 “纳米级不仅仅是指体积，同时代表能量与电力的消耗
-
科学家利用DNA技术催生新一代纳米级芯片，兼顾功率与成本（图）
IBM与美国加州理工学院(California Institute of Technology)的研究人员，正合作利用DNA来将碳纳米管、硅纳米线(nanowires)等微小零组件，组装成比现今微影技术可达到的尺寸小十倍的电路。这种技术并可望催生速度更快
-
美光：NAND尺寸持续微缩，有望挺进10纳米级
在日前的快闪内存高峰会(Flash Memory Summit)上，人们普遍对该产业的前途感到悲观。有人说，NAND供货商在可预见的未来都将继续亏损。另一些人则认为，新的应用如固态硬盘(SSD)所需的起飞时间远较预期来得长。当然，
-
美光：NAND尺寸持续微缩，挺进10纳米级有望
在日前的快闪内存高峰会(Flash Memory Summit)上，人们普遍对该产业的前途感到悲观。有人说，NAND供货商在可预见的未来都将继续亏损。另一些人则认为，新的应用如固态硬盘(SSD)所需的起飞时间远较预期来得长。当然，
