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绝缘栅双极晶体管工作原理是什么？它的结构特点是什么？
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)是一种重要的功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域。它是双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)和场效应晶体管(Field-Effect Transistor，FET)的结合体，具备了两者的优点，同时还有自身独特的特性。本文将详细介绍绝缘栅双极晶体管的工作原理以及它的结构特点。
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绝缘栅双极晶体管的基本概述，在应用上具有什么特点？
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)是一种重要的功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域。它不仅综合了双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)和场效应晶体管(Field-Effect Transistor，FET)的优点，还具备自身独特的特性。本文将对绝缘栅双极晶体管进行基本概述，并介绍其在应用上的特点。
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厂家有推出哪些绝缘栅双极晶体管的系列产品？
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)作为一种关键的功率半导体器件，由多家厂家推出了各种系列产品。本文将介绍几个知名厂家推出的主要IGBT系列产品，包括其特点和应用领域，为读者了解IGBT的市场情况和选择适合的产品提供指导。
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绝缘栅双极晶体管是什么？有什么作用？
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)是一种关键的功率半导体器件，在现代电力电子和驱动技术中广泛应用。本文将介绍IGBT的基本原理、结构组成和工作原理，并探讨其在电力变换和控制中的重要作用。
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绝缘栅双极晶体管
绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛;IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。
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意法半导体（ST)推出新HB系列绝缘栅双极晶体管(IGBT）
最新的高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)兼具近乎完美的开关能效和650V的宽额定工作电压，为应用设计提供更高的安全系数意法半导体的新HB系列绝缘栅双极晶体管(IGBT，Insulated-G
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IGBT绝缘栅双极晶体管栅极过压保护电路图
IGBT的栅极过压的原因1.静电聚积在栅极电容上引起过压。2.电容密勒效应引起的栅极过压。 为防止IGBT的栅极-发射极过压情况发生，应在IGBT的栅极与发射极之间并接一只几十千
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瑞萨推出13款绝缘栅双极晶体管新品
21ic讯 瑞萨电子公司，日前宣布为其第七代具有业界领先性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT）阵列增加13款新产品。新的IGBT包括采用650V电压的RJH/RJP65S系列和采用1250V电压的RJP1CS系列。新的IGBT作为功率半导体器件，用
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1200V 绝缘栅双极晶体管AUIRG7CH80K6B-M（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器
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1200V 绝缘栅双极晶体管AUIRG7CH80K6B-M（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器
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汽车级绝缘栅双极晶体管（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器
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汽车级绝缘栅双极晶体管（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器
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