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英特尔、美光合力3bps技术，推出业界最高效NAND产品
英特尔公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）近日宣布，双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺，推出每单元储存3比特（3-bit-per-cell，简称3bps）的多层单元（MLC）NAND技术试用产品
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英特尔联手美光推34纳米工艺NAND芯片
8月12日消息，据国外媒体报道，英特尔和美光科技今天宣布，双方已将当今最小的NAND芯片应用于消费存储设备。 新NAND闪存芯片采用34纳米生产工艺，每单元可储存3比特。新产品由两家公司合资企业IM Flash Technology公
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英特尔和美光利用34纳米工艺开发32Gb 3bpc NAND芯片
英特尔公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）宣布，双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺，推出每单元储存3比特（3-bit-per-cell，简称3bps）的多层单元（MLC）NAND技术试用产品。这
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DRAM厂40纳米开战 50纳米恐昙花一现
台系DRAM厂身陷财务泥淖且制程停留在70纳米制程，然国际大厂却提前引爆40纳米制程大战!三星电子(Samsung Electronics)40纳米制程产品已开始送样，美光(Micron)产品亦趋近成熟，2010年将加入战局，尔必达(Elpida)这次
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DRAM厂40纳米开战 50纳米恐昙花一现
台系DRAM厂身陷财务泥淖且制程停留在70纳米制程，然国际大厂却提前引爆40纳米制程大战！三星电子(Samsung Electronics)40纳米制程产品已开始送样，美光(Micron)产品亦趋近成熟，2010年将加入战局，尔必达(Elpida)这次
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台湾创新记忆体公司TMC正式成立 第四季进军市场
由台湾当局主导成立的新DRAM公司已于7月底正式登记成立，取名“台湾创新记忆体股份有限公司”(TMC)，董事长即为这项产业整合计划的召集人宣明智，登记资本额50万台币。 对于TMC已向台“经济部”提出的营运计划书，
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2009第二季全球DRAM产业营收涨幅高达27.1%
根据集邦科技调查统计，2009年第二季，DRAM合约价在减产效应持续发酵，计算机系统厂商在低价持续拉高库存水位下，第二季DRAM合约季均价上涨23%。现货价格亦在减产效应下，供给吃紧，DDR2 1Gb 667MHz 现货价格在五月一
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逆境中成长 欧美光源加大研发投入
在照明行业遭遇寒流和淡季的环境下，大部分企业都遭遇了企业裁员、经费缩减、销售量下滑等困境，但是一些注重品质的企业没有受到冲击，并在逆市中不断完善自己的生产设备，保证企业产品品质得到进一步提升，宁波欧美
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美光推出增加服务器内存容量和提升性能的新方法
美光科技股份有限公司前日宣布生产出业内首个DDR3低负载双列直插内存模块(LRDIMM)，并将于今年秋季开始推出16GB版本的样品。通过减少服务器内存总线上的负载，美光的LRDIMM可用以支持更高的数据频率并显著增加内存容
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存储芯片市场前景令人堪忧
去年，一场严重的“价格寒流”席卷了整个存储芯片领域，存储芯片市场亦受到了前所未有的冲击。业界巨头三星电子2007年第四季度财务报告显示，由于计算机存储芯片的平均销售价格迅速下滑，该公司的利润下降了6.6%。DR
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美光70ns随机存取时间的闪存存储器Axcell M29W和M29DW
Axcell M29W和M29DW是高速单级芯片(SLC) NOR闪存存储器，具有70-ns随机存取时间,有能力支持60ns，主要用于嵌入式领域。这些最新增加的Axcell M29产品系列与现有产品架构是引脚兼容，非常适合于包括汽车、消费电子、通
