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具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍
随着半导体行业的最新进展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的研究正在兴起。在 SB MOSFET 中，源极和漏极构成硅化物，而不是传统的杂质掺杂硅。SB MOSFET 的一个显着特征是一个特殊的二极管，如在 I d -V ds特性的三极管操作期间指数电流增加。当在逻辑电路中应用此类器件时，小偏置电压极不可能发生，就会发生这种情况。
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Vishay 新款SMD肖特基势垒整流器可为汽车和商业应用节省宝贵空间
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出6颗采用超薄DO-219AB(SMF)封装的表面贴装肖特基势垒整流器---SS1FL3、SS2FL3、SS1FL4、SS2FL4、SS1FH10
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Littelfuse公司的超低正向压降肖特基势垒整流器性能优于传统的开关二极管
21ic讯 力特公司迅速壮大的功率半导体产品组合再添新成员——专为超低正向压降(VF)设计的硅肖特基器件——适合用于高频开关式电源和直流-直流转换器，以及作为续流和极性保护二极管使用。2016年
