肖特基

英飞凌成功推出第五代thinQ!TM SiC肖特基势垒二极管

21ic讯 英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基势垒二极管，壮大其SiC(碳化硅)产品阵容。英飞凌荣获专利的扩散焊接工艺早已应用于第三代产品，如今又成功地与更紧凑的全新设计和最新的薄晶圆技术有机结合

罗姆开发出SiC肖特基势垒二极管SCS210AG/AM

21ic讯 罗姆株式会社面向太阳能发电功率调节器、工业设备、服务器和空调等的电源电路，开发出实现业界最小※正向电压（VF＝1.35V）的第二代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基势垒二极管“SCS210AG/AM&rdquo

罗姆开发出SiC肖特基势垒二极管SCS210AG/AM

21ic讯 罗姆株式会社面向太阳能发电功率调节器、工业设备、服务器和空调等的电源电路，开发出实现业界最小※正向电压（VF＝1.35V）的第二代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基势垒二极管“SCS210AG/AM&rdquo

扬杰电子依靠单一供应商 业绩受原材料价格影响较大

5月14日消息，据媒体报道，主营业务为分立器件芯片、功率二极管、整流桥等半导体分立器件产品的研发、制造与销售的扬州扬杰电子，被指出过度依赖单一供应商，原材料成本高且波动大，进一步阻碍了该公司未来经营发展。

恩智浦推出低VF肖特基整流器DFN1608D-2

21ic讯 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出面向移动设备市场的新一代低VF肖特基整流器，标志着其为小型化发展设立了新的重要基准。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑料封装典型厚度仅为0.37 mm，尺寸为1.6

恩智浦推出低VF肖特基整流器DFN1608D-2

21ic讯 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出面向移动设备市场的新一代低VF肖特基整流器，标志着其为小型化发展设立了新的重要基准。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑料封装典型厚度仅为0.37 mm，尺寸为1.6

安森美半导体推出新系列100V沟槽型LVFR

21ic讯 安森美半导体(ON Semiconductor)推出新系列的100伏(V)沟槽型低正向压降肖特基整流器(LVFR)，用于笔记本适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流-直流(DC-DC)转换器等应用。新的NTST30100CT

4款肖特基整流器（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款提供eSMP®表面贴装和轴向引线封装选项的新器件---10A V10P45S、15A V15P45S以及15A VSB1545和20A VSB2045，扩大其用于太阳能电池旁路应用的TMBS® Trench MO

4款新的30V肖特基势垒二极管（安森美）

安森美半导体(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基势垒二极管。这些新的肖特基势垒二极管采用超小型0201双硅片无引脚(DSN2)芯片级封装，为便携电子设计人员提供业界最小的肖特基二极管和同类最佳的空间性能。

单片MOSFET和肖特基SkyFET产品（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用该公司最新TrenchFET®技术的第一款单片MOSFET和肖特基SkyFET®产品 --- Si4628DY。通过第三代TrenchFET硅技术，Si4628DY提供了在SO-8封装的同类产品中前所未

单片MOSFET和肖特基SkyFET产品（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用该公司最新TrenchFET®技术的第一款单片MOSFET和肖特基SkyFET®产品 --- Si4628DY。通过第三代TrenchFET硅技术，Si4628DY提供了在SO-8封装的同类产品中前所未

Zetex高效率低漏泄肖特基二级管

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