台积电已经多次明确指出,3nm制程将于下半年规模投产。台积电的3nm制程依旧延续FinFET(鳍式场效应)电晶体结构,而非三星那套难度更高的GAA(闸极全环)电晶体。然而,台积电明显道行更深,知道当前制程节点命名混乱,谁的良率高显然更能占得先机。
消息人士称,台积电的CoWoS技术是专门为HPC设备应用设计的2.5D晶圆级多芯片封装技术,已经投入生产近10年。凭借CoWoS,台积电已经从高性能计算处理器供应商,如AMD赢得了大量订单。
芯片代工行业在制程迈入10nm以内后,面临的成本压力也越来越高。据SemiEngineering报道,IBS的测算显示,10nm芯片的开发成本已经超过了1.7亿美元,7nm接近3亿美元,5nm超过5亿美元。如果要基于3nm开发出NVIDIA GPU
2018年5月17日,Innodisk将於台北展期间发布最新SSD数据储存技术iRetentionTM,通过创新研发的数据转移机制,防止因温度升高而造成SSD数据消失。针对容易受到高温影响的工业应用,以独家固件技术,智能调控数据储存周期,进而延长SSD寿命。而宜鼎除了大力抢推最新的资料保存技术外,也将于展览中展出3D NAND TLC产品,以及2666超高速宽温规格DRAM,加以抗硫标准化市场利多釋出,以全方位嵌入式解决方案积极抢下车载、安全监控、网通、国防等四大应用市场。
韩媒 etnews 8 日报导,业界消息透露,最近三星系统 LSI 部门找上美国和中国的 OSAT(委外半导体封装测试业者),请他们开发 7、8 纳米的封装技术。据传美厂手上高通订单忙不完,未立即回覆。陆厂则表达了接单意愿。