1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石(YAG)封装在一起做成。GaN芯片发蓝光(λp=465nm,Wd=30nm),高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射,峰值550nm。蓝光L
白光LED光衰原因之荧光粉性能的衰退到目前,白光 LED、尤其是小功率白光 LED 的发光性能快速衰退已越来越为人们所认识。其实,盲目地夸大宣传,只能将 LED 行业引向歧途,不正视白光 LED 存在的问题,只能延缓白光 L
白光LED光衰原因之荧光粉性能的衰退到目前,白光 LED、尤其是小功率白光 LED 的发光性能快速衰退已越来越为人们所认识。其实,盲目地夸大宣传,只能将 LED 行业引向歧途,不正视白光 LED 存在的问题,只能延缓白光 L
LED的封装有:支架排封装,贴片封装,模组封装几种,这些封装方法都是我们常见和常用的。一,常规现有的封装方法及应用领域支架排封装是最早采用,用来生产单个LED器件,这就是我们常见的引线型发光二极管(包括食人鱼
LED的封装有:支架排封装,贴片封装,模组封装几种,这些封装方法都是我们常见和常用的。一,常规现有的封装方法及应用领域支架排封装是最早采用,用来生产单个LED器件,这就是我们常见的引线型发光二极管(包括食人鱼
近日,市场分析公司NanoMarkets作了题为“2012年LED照明应用荧光粉市场机遇”的报告,报告中分析了LED荧光粉供应商将在2020年前拥有的巨大商机。根据报告,应用于LED照明领域的荧光粉市场价值将呈现爆发式增长:2012
对于白光LED光源而言,光衰是很多同行最关注的一个问题,中西和科技在丰富的业务经验中总结出几点在光衰与材料的关系,希望对白光LED封装技术的提升添砖加瓦。1.晶片对白光LED光衰的影响从目前实验的结果来看,晶片对
陶氏化学公司的事业部门之一——陶氏电子材料事业部近日宣布补强收购由 SRI International 分拆的 Lightscape Materials 公司。Lightscape Materials 公司是美国一家私人的研究机构,拥有特种荧光粉技术的知识产权,
日本住友金属矿业公司(SMM)近来继续携手日本东北大学新材料科学研究院,将开始研发一种红光荧光粉,该荧光粉含硅,是一种氧化物(silicon-containing oxide-based red phosphor)。双方于2010年10月建立合作,曾成功研
日本住友金属矿业公司(SMM)近日携手日本东北大学新材料科学研究院,研发一种含有硅的红光荧光粉,该荧光粉为一种氧化物(silicon-containing oxide-based red phosphor)。双方于2010年10月建立合作,曾成功研发出第一
对于白光LED光源而言,光衰是很多同行最关注的一个问题,中西和科技在丰富的业务经验中总结出几点在光衰与材料的关系,希望对白光LED封装技术的提升添砖加瓦。1.晶片对白光LED光衰的影响从目前实验的结果来看,晶片对
日本住友金属矿业公司(SMM)近来继续携手日本东北大学新材料科学研究院,将开始研发一种红光荧光粉,该荧光粉含硅,是一种氧化物(silicon-containing oxide-based red phosphor)。双方于2010年10月建立合作,曾成功研
陶氏化学公司(纽约证券交易所代码:DOW)的事业部门之一——陶氏电子材料事业部今日宣布补强收购由 SRI International 分拆的 Lightscape Materials 公司。Lightscape Materials 公司是美国一家私人的研究机
在提倡环保的今天,节能灯成为人们的新宠。可是今日曝出的“节能灯有辐射”问题,让人们对节能灯充满了疑虑。《电磁辐射防护规定》中公众照射安全值为40伏/米以内,而节能灯电磁辐射超过了此安全值。节能灯的辐射真
近年来,在照明领域最引人关注的事件就是LED照明行业的兴起。20世纪90年代中期,日本日亚化学公司的Nakamura等人经过不懈努力,突破了制造蓝光LED的关键技术,并由此开发出以荧光材料覆盖蓝光LED产生白光光源的技术。
近年来,在照明领域最引人关注的事件就是LED照明行业的兴起。20世纪90年代中期,日本日亚化学公司的Nakamura等人经过不懈努力,突破了制造蓝光LED的关键技术,并由此开发出以荧光材料覆盖蓝光LED产生白光光源的技术。
大功率LED封装主要涉及光、热、电、结构与工艺等方面,如图1所示。这些因素彼此既相互独立,又相互影响。其中,光是LED封装的目的,热是关键,电、结构与工艺是手段,而性能是封装水平的具体体现。从工艺兼容性及降低
引言1962年,Holonyak等利用GaAsP制备出第一支发红光的LED,经过30多年的发展,LED的发光效率有了很大的提高,发射波长范围扩大到绿、黄和蓝光区。1993年Nakamura.S等率先在蓝色氮化镓(GaN)LED技术上取得突破,于199
大功率LED封装主要涉及光、热、电、结构与工艺等方面,如图1所示。这些因素彼此既相互独立,又相互影响。其中,光是LED封装的目的,热是关键,电、结构与工艺是手段,而性能是封装水平的具体体现。从工艺兼容性及降低
引言1962年,Holonyak等利用GaAsP制备出第一支发红光的LED,经过30多年的发展,LED的发光效率有了很大的提高,发射波长范围扩大到绿、黄和蓝光区。1993年Nakamura.S等率先在蓝色氮化镓(GaN)LED技术上取得突破,于199