TVP元件式过压保护电路
IGBT的栅极过压的原因1.静电聚积在栅极电容上引起过压。2.电容密勒效应引起的栅极过压。 为防止IGBT的栅极-发射极过压情况发生,应在IGBT的栅极与发射极之间并接一只几十千
如图所示是一种过压保护电路。当外电压E未超过设定的电压Vs时,负阻发光二极管VD1截止,VT因无基极电流也截止,继电器J不吸合,其常闭触头J1-1闭合,给负载RL供电。当外电压E一旦超过设定电压Vs时,VD1由截止为导通,
人们通常使用升压转换器将电压电平升压至足够高的水平,以使 LED 偏置并导通。调节 LED 串电流的典型方法是增加一个与 LED 串联的检测电阻器并将其两端的电压作为 脉宽调制 (PWM) 控制器的反馈输入。如果串联 LED 中
工作原理:利用光电耦合器的通断与否进行控制。电压正常时,光电耦合器几乎无输出,VT管被反偏而截止。当某种原因使电路电压升高时(零线断线或零线错接成相线等),取样电路次级电压随之升高,光电耦合器满足工作条件