标签:过压保护 可控硅 1. 防止交、直流系统中暂态过电压保护装置说明产生过电压的原因,除了大气过电压外,主要是由于系统中断路器操作过程,以及可控 硅元件本身换相关断过程,在电路中激发起电磁能量的互相转换和
电阻器R1和R2通过向误差放大器引脚FB反馈输出电压,确保恒定输出电压不会无限上升。所增加的电路能够保护器件不被过高的输出电压所损坏。VD2的作用是避免炀和Rcc在未连接LED模块时形成并联,并防止输出过压,因为R
为放大器输出增加晶体继电器和控制电路,提供过电压保护。 在测试测量应用中,必须为放大器输出终端、能量供给和类似元器件提供过电压保护。实现这个任务的传统方法是与钳位二极管一起,在输出节点到电源轨或其他
为放大器输出增加晶体继电器和控制电路,提供过电压保护。 在测试测量应用中,必须为放大器输出终端、能量供给和类似元器件提供过电压保护。实现这个任务的传统方法是与钳位二极管一起,在输出节点到电源轨或其他
为放大器输出增加晶体继电器和控制电路,提供过电压保护。 在测试测量应用中,必须为放大器输出终端、能量供给和类似元器件提供过电压保护。实现这个任务的传统方法是与钳位二极管一起,在输出节点到电源轨或其他
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor) 为手机和手持移动产品设计人员提供一款带有高集成度过电压保护(OVP)和USB/充电器检测功能的器件FAN3988。该器件是飞兆半导体OVP产品系列的最新成员,可让终端用户按照应用所
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor) 为手机和手持移动产品设计人员提供一款带有高集成度过电压保护(OVP)和USB/充电器检测功能的器件FAN3988。该器件是飞兆半导体OVP产品系列的最新成员,可让终端用户按照应用所
如图所示为XTR105反向电压和浪涌过电压保护电路。齐纳二极管为36V,可选择1N4753A或1N6286A。最大Vps必须小于齐纳二极管的最小击穿电压,二极管桥路使环路供电电压产生1.4V的损失。 function resizeImage(evt,obj)
如图所示,该电路利用齐纳稳压二极管D1限制浪涌电压,利用4只二极管组成整流桥路以防止反向电压。齐纳二极管D1为36V,可选1N4753A或P6KE39A。当环路电压低于30V时,为增加保护,可选更低电压的D1管。 function resi