0 引言 在电子技术日新月异、新型多功能电能表层出不穷的今天,电能表中存储器的选择也是多种多样,存储器的好坏直接关系到电能表的正常使用和测量精度。目前应用最多的方案仍是SRAM加后备电池、EEPROM、NVRAM这三种
耶鲁大学的研究人员和Semiconductor Research Corp (SRC)称利用铁电材料制作存储器来代替DRAM和闪存非常合适。目前DRAM技术必须每几个毫秒就刷新一下,而铁电存储器可以持续几分钟而无需刷新。耶鲁大学和SRC的研究
介绍非易失性铁电存储器FM25H20的性能特点,内部结构和工作原理;给出单片机与FM25H20的写操作接口电路图,以及FM25I-t20的写操作流程图。归纳出任何一款8位数据总线宽度用于计算机系统时使用FM25H20的方法.从而实现大容量存储系统的扩展。
在单片机应用和智能仪器中,存储器已成为不可或缺的一部分,包括系统工作时存储临时性数据的RAM,以及永久性存储数据的非易失性存储器。RAM简单易用,存储速度快,但掉电数据易丢失;而非易失性存储器尽管能够长期保存数据,但存储速度慢,写入功耗高,而且读写次数受限。采用铁电存储器(FRAM)可解决上述问题。这种存储器的核心是铁电晶体材料具有RAM快速读写的优点,同时也具有非易失性存储器永久存储数据的特点。基于上述特点,介绍一种FRAM FM3116在复费率电能表中的应用设计。
世强电讯与瑞创国际公司(RamtronInternational Corporation)日前正式签署了分销合作协议,Ramtron国际公司授权世强在中国内地和香港地区铁电存储器产品的分销权。 Ramtron公司成立于1984年,总部设在美国
本文主要介绍了铁电存储器FM20L08的原理及应用。该存储器不仅克服了EEPROM和Flash存储器写入时间长、擦写次数少等缺点,而且增加了电压监控器和软件控制的写保护功能,1MB的存储容量足以替代静态随机存储器。
Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM 以8051为基础的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。
Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM 以8051为基础的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。
文章主要介绍了FM31256的基本功能、原理,并结合实例给出了其在电磁铸轧电源控制装置中的具体应用方法。
汽车行驶状况的记录对分析、鉴定道路交通事故、提高交通管理执法水平和运输管理水平、保障车辆运行安全具有重要作用。
中国电子产业在经历20年的飞速发展后,作为带给产业最新元器件及半导体技术的忠实伙伴,分销商在促进中国电子业中所起的作用已是举足轻重。随着他们在供应链中的价值逐步增长以及行业竞争加剧,越来越多的本土电子元
FM3808是Ramtrom公司生产的新型超低功耗非易失铁电存储器,该器件可支持对存储区的高速读写,并可进行近乎无限次的写入。
FM3808是Ramtrom公司生产的新型超低功耗非易失铁电存储器,该器件可支持对存储区的高速读写,并可进行近乎无限次的写入。
介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理,详细分析其读写操作过程及时序