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打破国外垄断！新型国产存储芯片发布
业内消息，上周国内DRAM芯片厂商长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品，并成功完成了与小米、传音等国产手机品牌机型的上机验证。包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片以及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。
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长鑫存储发布多款国产LPDDR5产品：已在小米手机上完成验证
11月29日消息，日前，长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品，包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。
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长鑫存储试产17nm DRR5芯片，就在本年第二季度
3月22日消息，据台湾媒体报道，国产DRAM芯片厂商合肥长鑫存储将在今年二季度试产17nm工艺的DDR5内存芯片，并寻求扩大产能。报道称，目前合肥长鑫的17nm工艺DDR5内存芯片良率已经达到了40%，预计在今年二季度试产，出样片给到客户。虽然目前40%的良率较低，不过长鑫存储将会在接下来的时间里持续改进良率。根据此前长鑫存储公布的路线图也显示，长鑫存储目前正计划推出17nm DDR5/LPDDR5，后续还将推出10nm制程的产品。
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逾19亿元！长鑫存储DRAM产品迎兆易创新大订单
兆易创新2021年将向长鑫存储、长鑫存储（香港）采购DRAM产品额度为3亿美元（19亿人民币），与长鑫存储产品联合开发平台合作额度3,000万元人民币。
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国产内存高光！威刚全面导入长鑫DDR4颗粒
今年2月底，长鑫存储官方宣布，符合国际标准规范的自产DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4内存芯片全面开始供货，这也是DDR4内存第一次实现真正国产，并采用国产第一代10nm级工艺制造。 就在
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发力DRAM！合肥长鑫存储与美国半导体公司签署专利许可协议
5月4日消息 据合肥市人民政府官方微信公众号援引安徽日报消息，合肥长鑫存储技术有限公司已同美国半导体公司蓝铂世签署专利许可协议，前者将获得大量动态随机存取存储（DRAM）技术专利的实施许可。 据悉，
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长鑫存储已经开始生产19nm计算机存储器
据AnandTech报道，长鑫存储技术有限公司（CXMT）已经开始生产基于 19nm 工艺的计算机存储器，且该公司至少制定了两条以上的 10nm 级制程的路线图，计划在未来生产各种类型的动态随机存储器
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长鑫存储：收获大量原奇梦达内存专利
长鑫存储技术有限公司与加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日联合宣布，就原内存制造商奇梦达开发的DRAM内存专利，长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris In
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长鑫存储和WiLAN子公司达成专利许可和采购协议
长鑫存储技术有限公司与 Quarterhill Inc.(多伦多证券交易所代码 QTRH)(纳斯达克代码 QTRH)旗下的 Wi-LAN Inc. 今日联合宣布，就原动态随机存取存储芯片(DRAM)制
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长鑫存储：收获大量原奇梦达内存专利
长鑫存储技术有限公司与加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.联合宣布，就原内存制造商奇梦达开发的DRAM内存专利，长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited达成专利许可协议和专利采购协议。
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已到10nm级别，长鑫存储谈未来DRAM技术之路
在深圳举办的中国闪存技术峰会上，长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士进行了《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲。平尔萱博士表示，随着数据量的增加，数据处理能力就需要相应的加强，因此需要更
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长鑫存储亮相闪存技术峰会 引领中国DRAM技术突破
在今日举办的中国闪存技术峰会(CFMS)上，长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士做了题为《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲，披露了DRAM技术发展现状和未来趋势。
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长鑫存储亮相闪存技术峰会 引领中国DRAM技术突破
在今日举办的中国闪存技术峰会(CFMS)上，长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士做了题为《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲，披露了DRAM技术发展现状和未来趋势。作为中国DRAM产业的领导者，长鑫存储正
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长鑫存储亮相GSA存储峰会 有什么技术呢？
2019年5月15日，长鑫存储董事长兼CEO朱一明先生在上海举办的GSA MEMORY+峰会上，发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲，阐述新时代下中国存储器市场的巨大需求和发展机遇。去年长鑫8GB LPDDR4的投片，率先尝试“从0到1”的突破，推动中国存储器厂迈出了重要的一步。
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