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基于浮栅技术的闪存
基于浮栅技术的闪存
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叠栅MOSFETs的结构设计与研究
摘要：通过分析设计，提出了一种新型结构的叠栅MOSFET，它的栅电容是由两个电容混联组成，所以它有较小的栅电容和显著的抑制短沟道效应的作用。模拟软件MEDICI仿真结果验证了理论分析的预言，从而表明该结构可用作射
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施密特触发器原理及应用
我们知道，门电路有一个阈值电压，当输入电压从低电平上升到阈值电压或从高电平下降到阈值电压时电路的状态将发生变化。施密特触发器是一种特殊的门电路，与普通的门电路不同，施密特触发器有两个阈值电压，分别称为
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IGBT及其子器件的几种失效模式
摘要：本文通过案例和实验，概述了四种IGBT及其子器件的失效模式：MOS栅击穿、IGBT-MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电保护用高压npn管的硅熔融。关键词：栅击穿 阈值电压漂移 积累损伤
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基于CMOS阈值电压的基准电路设计
摘要：在数／模混合集成电路设计中电压基准是重要的模块之一。针对传统电路产生的基准电压易受电源电压和温度影响的缺点，提出一种新的设计方案，电路中不使用双极晶体管，利用PMOS和NMOS的阈值电压产生两个独立于电
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单片弛张振荡器的温度补偿方法
本文提出一种适用于这种结构振荡器的片内温度补偿方案，可以简单方便地获得更好的温度性能。
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