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“联合创新”模式助力中国集成电路工艺创新与演进
在中国全面实现工业化的今天，几乎所有人都将目光集中在飞机发动机、集成电路、生物工程等重点行业。这其中，集成电路行业发展尤为引人注目。工信部在解读《中国制造2025》时称，“集成电路是工业的‘粮食
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英特尔列出集成电路工艺节点缩小的五个挑战
芯片尺寸将会在未来几年持续减小，但芯片制造商会面临一系列挑战。在国际固态电路会议（ISSCC）上，英特尔的高级技术专家，工艺架构和集成总监MarkBohr指出了挑战和有潜力的挑战方案，Bohr列出了32nm和之下工艺节点的
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英特尔列出集成电路工艺节点缩小的五个挑战
芯片尺寸将会在未来几年持续减小，但芯片制造商会面临一系列挑战。在国际固态电路会议（ISSCC）上，英特尔的高级技术专家，工艺架构和集成总监MarkBohr指出了挑战和有潜力的挑战方案，Bohr列出了32nm和之下工艺节点的
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中芯国际攻关3D集成电路工艺
作为国内最大、最先进的半导体制造商，中芯国际(SMIC)已经成立了新的“视觉、传感器与3D集成电路”(CVS3D)研发中心，集中力量重点攻关硅传感器、TSV硅通孔和其它中端晶圆处理(MEWP)技术。为了进一步提升晶体管集成度
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中芯国际攻关3D集成电路工艺
作为国内最大、最先进的半导体制造商，中芯国际(SMIC)已经成立了新的“视觉、传感器与3D集成电路”(CVS3D)研发中心，集中力量重点攻关硅传感器、TSV硅通孔和其它中端晶圆处理(MEWP)技术。为了进一步提升晶
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中科院集成电路工艺研发取得进展 但科研和生产脱节问题依旧
据新华社消息，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心最近在22纳米技术代集成电路关键技术研发上取得突破性进展。消息称该中心的研究人员摒弃了传统的二氧化硅、多晶硅等材料，采用高K材料、金属栅等新材料
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联华电子计划收购大陆和舰科技
据华尔街日报报道，联华电子将在4月初召开的董事会上修改该公司将其在中国大陆和舰科技持股比例由15%提高至100%计划的条款。该报称，依据修改后的计划条款，联华电子将以现金加库存股的方式收购和舰科技的上述股权;而
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TSMC推出高整合度LED驱动集成电路工艺，降低零组件数量
TSMC推出模组化BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工艺，将可为客户生产高电压之整合LED驱动集成电路产品。此一新的BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特的工作电压范围，可支持多种LED的应用，包括： LCD平面显示器的背光源、LE
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TSMC推出高整合度LED驱动集成电路工艺
TSMC昨日推出模组化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工艺，将可为客户生产高电压之整合LED驱动集成电路产品。此一新的BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特的工作电压范围，可支持多种LED的应用，包括： LCD平面显示器的背光源
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TSMC推出高整合度LED驱动集成电路工艺，降低零组件数量
TSMC推出模组化BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工艺，将可为客户生产高电压之整合LED驱动集成电路产品。此一新的BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特的工作电压范围，可支持多种LED的应用，包括： LCD平面显示器的背光源、LE
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TSMC推出高整合度LED驱动集成电路工艺，降低零组件数量
TSMC推出模组化BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工艺，将可为客户生产高电压之整合LED驱动集成电路产品。此一新的BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特的工作电压范围，可支持多种LED的应用，包括： LCD平面显示器的背光源、LE
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英特尔列出集成电路工艺节点缩小的五个挑战
芯片尺寸将会在未来几年持续减小，但芯片制造商会面临一系列挑战。 在国际固态电路会议（ISSCC）上，英特尔的高级技术专家，工艺架构和集成总监Mark Bohr指出了挑战和有潜力的挑战方案，Bohr列出了32nm和之下工艺节
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英特尔列出集成电路工艺节点缩小的五个挑战
芯片尺寸将会在未来几年持续减小，但芯片制造商会面临一系列挑战。在国际固态电路会议（ISSCC）上，英特尔的高级技术专家，工艺架构和集成总监Mark Bohr指出了挑战和有潜力的挑战方案，Bohr列出了32nm和之下工艺节点
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英特尔列出集成电路工艺节点缩小的五个挑战
英特尔列出集成电路工艺节点缩小的五个挑战
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元器件知识大全：模拟集成电路几种特性
模拟集成电路是在分立元件的模拟电路理论和数字集成电路工艺的基础上发展起来的。 在电路构成方面，模拟集成电路具有以下持点： (1)电路结构与元件参数具有对称性尽管集成电路工艺制作的元件、器件的参数精度不高，
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