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飞兆半导体宣布推出采用SO-8封装的80伏N沟道MOSFET器件FDS3572
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封装的80 伏 N沟道MOSFET器件FDS3572，具备综合的性能优势，能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7
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飞兆半导体的80 V MOSFET
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飞兆半导体的80 V MOSFET
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Fairchild收购Raytheon射频元件机构部
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布，现已收购Raytheon公司属下射频元件机构的商业事业部。 通过是次收购行动，飞兆半导体得以迅速进入包括无线区域网络和手机功率放大...
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Fairchild半导体公司公布第二季业绩
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Fairchild任命欧良生为苏州装配测试厂总经理
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飞兆半导体针推出采用DQFN封装的4位和5位逻辑电平变换器
飞兆半导体公司
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飞兆半导体的RF功率放大器模块获全球最大的主板制造商选用
全球领先的
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飞兆半导体在超小型DQFN封装中引进低电压逻辑功能封装尺寸较TSSOP减小达75%
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor）宣布在DQFN (缩减型超薄四方扁平无引脚封装)中推出多个4、6和8 位LCX和VCX™ 系列低电压逻辑功能器件。DQFN是业界用于四方、六方和八方逻辑功能的最小型封装，较传统
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飞兆半导体荣登功率集成电路市场第三位
全球领先的高性能功率优化产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布荣膺2003年世界电源和功率管理集成电路产品的第三大供应商。根据市场研究公司Venture Development Corporation (VDC) 的报告，200
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飞兆半导体推出串化器/解串器 (SerDes) 装置
飞兆半导体 (Fairchild Semiconductor) 已推出四种LVDS串化器和解串器(SerDes)，能够解决与高速宽TTL接口相关的各种电磁干扰（EMI）和线缆尺寸问题，这类接口常见于各种通信、计算、工业及汽车等应用。飞兆半导体的串
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飞兆半导体推出采用SC75 FLMP封装的低压MOSFET
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P沟道MOSFET器件FDJ129P，为便携设备电源管理带来综合的性能和节省空间优势，这些设备包括移动电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收装置、低压/低功率DC-DC转换器及
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飞兆半导体推出全新数模转换器
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新SPT5240型高频10-bit数模转换器，功耗较同类竞争产品低80%以上。SPT5240在高速的400MWPS更新速率下工作，其功耗仅为149mW (typ)（@ƒCLK = 400MHz和12mA输出）
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飞兆半导体推出全新超小型高速光耦合器系列具备出色的共模抑制性能
飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出全新高速晶体管光耦合器系列中首两款产品FODM452和FODM453，提供业界最佳的共模抑制 (CMR) 性能和最小的封装外形。新产品的独特共面结构使得其CMR性能比同类器件高出3
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飞兆半导体推出全新标准放大器系列减少电池供电设备的功耗达20%
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出一系列高功效CMOS放大器，专为较低功率的设备而设。全新的LMV321 (单通道)、LMV358 (双通道) 和LMV324 (四通道) 放大器在2.7V消耗的最大供电电流为120
