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日亚于英国控告首尔半导体LED灯侵权
据国外媒体报道5月14日，日本LED大厂日亚化学工业(NichiaCorp.)宣布，已向英国相关机构正式递状控告韩国首尔半导体(SeoulSemiconductor)及于英国贩卖首尔半导体产品的AvnetEMGLtd两家公司贩卖的产品，侵犯了日亚的专
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美国地方法院判决日亚(Nichia)向首尔半导体索偿败诉
首尔半导体 [股份上市编号: KOSDAQ 046890], 全球主要发光二极管(LED)环保照明技术生产商之一, 今天宣布就首尔半导体与日本日亚公司(Nichia Corporation)侧光LED的侵权诉讼, 美国加里福尼亚州北部的美国地方法院Ches
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首尔半导体及台湾亿光电子与Rothschild就专利侵权达成和解
韩国首尔半导体（Seoul Semiconductor）和台湾亿光电子（Everlight Electronics）与Gertrude Neumark Rothschild针对侵犯Rothschild短波长LED和激光二极管专利的诉讼达成了和解。Rothschild的代理律师所在的美国Dre
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超亮LED—Z-Power P7系列（首尔半导体）
首尔半导体日前宣布成功研发及在市场推出超亮LED—Z-Power P7系列
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首尔半导体全球最光亮LED可达900流明/10瓦特的光亮度[1]
首尔半导体[股份上市编号: KOSDAQ 046890], 全球主要发光二极管(LED)环保照明技术生产商之一, 今天宣布成功研发及在市场推出超亮LED—Z-Power P7系列。Z-Power P7系列为单一封装LED, 可以发出900流明/10瓦特的全球最
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超亮LED—Z-Power P7系列（首尔半导体）
首尔半导体日前宣布成功研发及在市场推出超亮LED—Z-Power P7系列
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美国国际贸易委员会(ITC)表决通过向日亚公司(Nichia)展开调查有关其侵犯首尔半导体专利权之诉状
美国国际贸易委员会(the U.S. International Trade Commission, 简称 "ITC") 于2008年1月4日宣布, 经已表决通过向日亚公司(Nichia)展开调查有关其侵犯首尔半导体专利权之诉状, 调查范围将集中于日亚公司的短波段半导
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首尔半导体向日亚提出诽谤诉讼 索偿5亿韩元
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首尔半导体向日亚提出诽谤诉讼 索偿5亿韩元
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首尔半导体遭受诽谤向日亚公司(Nichia)提出诉讼
首尔半导体, 全球主要发光二极管(LED)环保照明技术生产商之一, 宣布于2008年1月7日, 因应日亚公司(Nichia)有关 "美国加利福尼亚州北部地区法院设计专利权案件"(美国设计专利权案件)所作出的错误声明, 在韩国首尔中央
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0.17mm厚高亮度LED芯片（首尔半导体）
首尔半导体(Seoul Semiconductor Co, Ltd.)宣布成功研发出厚度只有0.17mm，可以产生比现时同类产品高出两倍光度的LED芯片。
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0.17mm厚高亮度LED芯片（首尔半导体）
首尔半导体(Seoul Semiconductor Co, Ltd.)宣布成功研发出厚度只有0.17mm，可以产生比现时同类产品高出两倍光度的LED芯片。
