摘要:简要分析了UC3637双PWM控制器和IR2110的特点,工作原理。由UC3637和IR2110共同构建一种高压大功率小信号放大电路,并通过实验验证了其可行性。 关键词:小信号放大器;双脉宽调制;悬浮驱动;高压大功率
摘要:阐述了高压大功率变换器拓扑结构的发展,同时对它们进行了分析和比较,指出各自的优缺点,其中重点介绍了级联型拓扑结构并给出了仿真波形。 关键词:多电平变换器;拓扑结构;高压大功率 0 引言
2011年1月19日,英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS? 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构,使得CoolMOS? 晶体管技术不断优化,这为取得成功
英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS™ 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构,使得CoolMOS™ 晶体管技术不断优化,这为取得成功奠
1前言电力电子技术、微电子技术与控制理论的结合,有力地促进了交流变频调速技术的发展。近年来,具有驱动电路和保护功能的智能IGBT的应用使得变频器结构更加紧凑且可靠。与其它电力电子器件相比,IGBT具有高可靠性、
摘要:论述了谐振变压器的原理,设计方法及研制中应注意的几个问题,并通过计算值与实测值对比的方法证明了文中计算公式的精确性和实用性。1前言 随着电力电子技术的发展,采用高压谐振技术对大容量电气设备进行工
英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS™ 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构,使得CoolMOS™ 晶体管技术不断优化,这为取得成功奠
英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS™ 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构,使得CoolMOS™ 晶体管技术不断优化,这为取得成功奠
1前言电力电子技术、微电子技术与控制理论的结合,有力地促进了交流变频调速技术的发展。近年来,具有驱动电路和保护功能的智能IGBT的应用使得变频器结构更加紧凑且可靠。与其它电力电子器件相比,IGBT具有高可靠性、
为消除MEMS加速度计经由高压釜测试后,因补偿值改变造成封装应力、电阻漏失与产生寄生电容变更三大失败机制的弊端,产业界现正透过FA技术深究背后主因,并根据FA测试结果,分别提出解决之道,以强化产品的性能。 微