根据国外科技媒体报导指出,日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布,将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。对此,市场预估,美光的该项新产品还会在2019年底前,在美光位于中国台湾台中的厂区内建立量产产线。
英特尔14纳米芯片产能不足、供货吃紧,日前传出英特尔求助竞争对手台积电的消息,但英特尔昨(12)日已发表声明稿驳斥这个传言。
英特尔原来的计划是在10纳米工艺上发布名为“Knights Hill”的新一代Xeon Phi。然而,随着市场对Xeon Phi需求不高,以及不断延期的10纳米工艺,这迫使该公司放弃了这个项目。现在,该公司宣布他们正在停止
处理器大厂英特尔 (Intel) 在 21 日正式率先发布,“第 8 代 Core i” 系列移动版 U 系列处理器。其中包含两款 i7 系列处理器 i7-8650U、i7-8550U,以及两款 i5 系列处理器的 i5-8350U、i5-8250U。英特尔表示,这一代的处理器核心数提升至 4C 8T,并有着更高的核心时脉,加上部分产品为英特尔首批由 10 纳米制程所生产的处理器,整体性能将比起上一代有 40% 的大幅度提升。
晶圆代工龙头台积电昨(13)日举行法说会,公布第2季财报,毛利率50.8%,落在先前预期低标;营益率38.9%,略低于低标的39%;税后纯益662.7亿元,季减24.4%,较去年同期下滑8.6%,每股税纯益为2.56元,创5季以来最低点。
3月22日下午,美国高通公司全新旗舰芯片Qualcomm骁龙835处理器在亚洲首秀。这颗采用三星10纳米制程工艺的芯片,将使搭载该芯片的智能设备拥有更低的功耗与更高的性能。据了解,骁龙835已经投入生产,预计搭载骁龙83
台积电于美国举办年度技术论坛时表示,预估今年10纳米制程产量将达40万片12寸晶圆,2019年之后,10纳米及7纳米的晶圆产量合计将达到120万片,其中,10纳米晶圆今年产能即可望超过16纳米。
英特尔的10纳米要等到2017年年底,而竞争对手则在今年年底和明年年初。也就是说,英特尔的新工艺比竞争对手晚了超过至少半年左右的时间。
英特尔、三星、台积电半导体三雄在先进制程领域持续比拼实力,继14/16纳米竞赛之后,又把重点放在了计划中明年量产的10纳米之上。
以最先进的ARM处理器与Cortex系列处理器为基础,将英特尔的10纳米制程技术最佳化,这表示晶圆代工客户能运用这类IP达到先进的功率/效能/空间(PPA),使其研发的移动、物联网、以及其他消费性产品兼具省电与高效能的特性。
有鉴于16纳米技术可能过时,而10纳米又为期不长,Nvidia选择直接晋升7纳米并不无道理。再者,台积电7纳米制程将在2018年上半年导入量产,除非Nivida急于在此前推出Volta世代芯片,否则采用7纳米对于芯片效能与竞争力可能较为有利。
2014 年是英特尔非常成功的一年,增速快于预期,但是到了 2015 年,一切表现却变得不再那么乐观。不仅营收下降了 1%,而且股价还下跌了高于 2% 的数字。究竟这一年英特尔业务报告表现并不理想的原因是什么呢?很显然,答案只有英格尔最清楚,但这并不妨碍我们对去年英特尔相对糟糕表现的盘点。
三星电子(Samsung Electronics)半导体事业2016年将正式进入10纳米(nm)时代。借着量产18纳米DRAM与10纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程芯片,以扩大技术差距的策略守住半导体领先优势。 据首尔经济报导,三星半导体事业
晶圆代工大厂台积电(TSMC)近日宣布将推出精简型、低功耗版本的16奈米FinFET制程,并公布其更先进奈米制程技术蓝图;台积电预定自今年中开始量产最新的16奈米FinFET Plus (16FF+)制程,并在2016年展开 10奈米制程生产
据国外媒体报道,台积电准备推出新的制造工艺,以应对来自其他定制半导体元件厂商的竞争。公司联席CEO刘德音周二在美国加州圣何塞的一次活动上表示,台积电最早会在明年年末上马10纳米制造技术。刘在活动中向客户介