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3nm 制程工艺是 5nm 之后的另一个全世代制程，具备最佳 PPA 及电晶体技术
援引彭博资讯，分析师指出，全球芯片需求复苏减慢，可能抑制下半年的需求回升力度，但台积电仍能率先摆脱芯片景气低谷，营收可望在下半年回升，主要是因为3纳米节点制程销售增加，价格更高。
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三星首次在先进工艺层面反超台积电，3纳米芯片良品率持续提升
三星电子已与美国公司Silicon Frontline Technology扩大合作，提高半导体晶片在生产过程中的良率，希望超车劲敌台积电。
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在芯片制造中，3纳米工艺是继5纳米MOSFET 技术节点之后的下一个芯片缩小
在半导体制造中，3纳米工艺是继5纳米MOSFET 技术节点之后的下一个芯片缩小。截至2019年，三星和台积电已宣布计划将3 nm 半导体节点投入商业生产。它基于GAAFET(全能栅极场效应晶体管)技术，这是一种多栅极MOSFET技术。
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3纳米制程仍有多家企业签订，高通转移高端芯片订单的原因？
高通转移高端芯片订单的原因，也正是因为三星的工艺过于拉跨，而且不良率非常高。从目前来看，三星的3纳米制程似乎仅有两家企业签订，而台积电的3纳米制程仍有多家企业签订。
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3纳米产品下半年实现量产，而2纳米产品的量产预计会在2025年实现
去年，受疫情期间智能手机、汽车和游戏机的需求拉升，半导体板块一路飙升，虽然今年以来半导体类股遭遇重创，但摩根士丹利分析团队指出，随着晶圆代工竞争格局的不断演变，台积电、三星和英特尔这三大巨头依然值得关注。
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三星3纳米芯片用了怎样的技术？3纳米芯片制作难度大吗？
这几年人们对于芯片的关注度明显提升，尤其是高精度的纳米级芯片。目前，已知的手机芯片可以做到4纳米的量产，就比如最近新发布的高通骁龙8+以及10月份要带来的苹果A16仿生芯片，都是4纳米制作工艺，它们统一的特点就是性能强大。
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弯道超车! 全球首家量产3纳米芯片厂家曝光！
6 月 30 日消息，三星电子有限公司周四宣布，该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产 3 纳米半导体芯片，是全球首家量产 3 纳米芯片的公司。
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3nm取得重大突破，FinFET下探到3nm芯片工艺预计第四季度实现量产
台积电生产的每一代旗舰芯片都在刷新业内科技水平纪录，尤其是在智能手机领域，跑分已经成为衡量芯片性能的一大参考因素。4nm制程工艺的芯片跑分已经突破一百多万，如果到了更先进的3nm芯片，恐怕跑分还会更高。
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全球首家量产3纳米芯片公司诞生：已开始大规模生产3纳米芯片
韩国三星电子周四宣布，公司已经开始大规模生产3纳米芯片，是全球首家量产3纳米芯片的公司。
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芯片的发展越来越迅速，三星本周将展示下一代3纳米芯片技术
芯片的发展越来越迅速，先进制程芯片量产的速度也是越来越快，从28纳米，就这么几年的时间，如今已经成功挺进到4纳米。这意味着什么?意味着芯片先进制程已经即将就要接触到摩尔定律的极限了。
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苹果、英特尔等大厂已经预定大部分3NM产能，台积电良率爬坡遇阻
台积电总裁魏哲家在月前的法说会上透露，3纳米制程进展符合预期，将于今年下半年量产。不过据digitimes最新报道，半导体设备厂商透露，台积电3纳米良率拉升难度飙升，台积电因此多次修正3纳米蓝图。
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三星3纳米制程技术，远超台积电，到底是不是真的？
10月7日消息，当地时间周三，三星电子宣布公司新一代3纳米芯片制造技术将推迟到2022年上市，同时称更先进的2纳米芯片制造技术将在2025年问世。
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金字塔尖工艺争夺！三星取消中间工艺4nm，5nm后直接上马3nm GAAFET
自GF(格芯)退出7nm研发后，金字塔尖的先进制程工艺争夺主要在台积电、Intel、三星中开展。 最新消息称，三星已经重修了工艺路线图，取消了此前用于过渡的4nm，在5nm为FinFET(鳍式场效应晶体管)后，直接上马3nm GAAFET(环绕栅极晶体管)。
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台积电3纳米制程发展顺利 已有早期客户参与其中
在晶圆代工龙头台积电日前的法说会中，台积电表示，目前7纳米制程产能几乎满载，而且未来5纳米制程也依照计划顺利进展的情况下，看好未来因5G与AI商机所带来的发展。
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台积电3纳米厂通过审议 最快2022年底量产
根据台湾地区的公告，晶圆代工龙头台积电在新竹宝山的都市变更计划，已经正式获得审议通过。这象征着继台积电在南科兴建的5纳米产线之后，更加先进的3纳米制程即将来到，将使得让台积电稳坐技术领先者的位置。
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三星发展3纳米制程技术图 抢占高端运算市场
三星周二举行晶圆代工技术论坛(Samsung Foundry Forum)，同时揭露发展3纳米制程的技术路图，以及7纳米投产进度，将抢攻高端运算与联网装置市场。
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3纳米或成摩尔定律绝唱，台积电开始布局量子电脑！
虽然说这几年的英特尔半导体制程更新速度变缓，不过台积电、三星等厂家的进度却相当之快。虽然说三星和台积电的实际工艺并没有达到英特尔的水平，不过已经相当接近了。
