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台积电3nm工艺细节来了，发了两篇论文
2023年1月消息，据Semiwiki报道，台积电在 2022 年 IEDM 上发表了两篇关于 3nm 的论文：“关键工艺特性可实现3nm CMOS及更高技术的激进接触栅极间距缩放”和“3nm CMOS FinFlex为移动SOC和高性能计算应用提供增强的能效和性能的平台技术”。
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三星3nm技术有新突破，是否还能挽救高通的颓势？
7 月 7 日消息，据国外媒体报道，三星电子 6 月 30 日在官网宣布，他们采用全环绕栅极晶体管架构的 3nm 制程工艺，已在当日开始初步生产芯片，先于台积电采用 3nm 工艺代工晶圆。
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台积电3nm工艺风险试产时间确定：计划明年
7月30日，据报道，在5nm芯片制程工艺二季度量产之后，台积电下一步的工艺重点就将是更先进的3nm工艺，这一工艺有望先于他们的预期大规模量产。
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3nm工艺风险量产 晶体管密度提升70%，台积电来了
台积电一直是芯片生产领域的龙头老大，台积电两年前量产了7nm工艺，今年要量产5nm工艺了，已经被华为、苹果抢先预定了大部分产能，现在3nm工艺也定了，官方宣布2021年风险量产，2020年下半年正式量产。
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台积电预研发3nm工艺，扩招8000名员工
日前根据Tom's Hardware的报道，台积电计划为一个新的研发中心增加8000个工作岗位，该中心预计将于2020年底建成，将致力于3nm制程技术的研发。据报道，台积电执行董事长周
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台积电制程工艺继续领先，3nm厂通过环境评测！
近日，台湾主管环境的部门宣布，台积电的3nm工厂正式通过了当地的环境评测，而这也标志着这项投资规模200亿的项目进入到了一个新阶段。
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三星的野心！2020年要量产3nm工艺！
持续两年多的DRMA内存芯片涨价今年10月份就结束了，遭受涨价之苦的下游厂商及消费者总算可以舒口气了，花旗集团日前给出的预测是明年DRAM内存至少会降价30%。对于DRAM厂商来说，内存降价是他们极不
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精益求精！intel 400人团队冲击人类极限，挑战3nm工艺
从Intel给出的路线图看，5nm、3nm还处于前沿研究阶段，具体如何实现尚未定型，量产更不知何年何月，但无论如何，这意味着Intel对于硅半导体技术的追求将坚定地走下去。
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TSMC的5nm工艺预计在2019年试产，已着手3nm工艺研发
对TSMC台积电来说，他们的工艺之前确实落后Intel一两代，但在10nm节点开始弯道超车，未来的工艺发展速度更是(官方宣传中)超过了Intel，2018年打算量产7nm，而2019年则会试产5nm工艺，现在也着手研发更先进的3nm工艺了。
