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提升电源效率和可靠性的黄金搭档：半桥谐振LLC与CoolMOS开关管
在快速发展的电力电子领域，电源系统的效率和可靠性是衡量其性能的重要指标。随着科技的不断进步，各种高效、高可靠性的电源设计方案层出不穷。其中，半桥谐振LLC拓扑与CoolMOS开关管的结合，凭借其独特的优势，成为了提升电源效率和可靠性的黄金搭档。本文将深入探讨这一组合的工作原理、优势以及在实际应用中的表现。
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性价比一流：英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOS™ S7超结MOSFET
【2020年3月3日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言，新推出的600 V CoolMOS™ S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。
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一种基于ICE3AR2280JZ和CoolMOS的三相开关电源设计
智能电表是智能电网的智能终端，除了具备传统电能表基本用电量的计量功能以外，为了适应智能电网和新能源的使用它还具有用电信息存储、双向多种费率计量功能、用户端控制功
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英飞凌推出CoolMOS MOSFET无管脚SMD封装：ThinPAK 5x6
21ic讯 英飞凌科技股份公司今日推出全新的CoolMOSTMMOSFET无管脚SMD(表面贴装)封装：ThinPAK 5x6。移动设备充电器、超高清电视和LED灯具都必须满足许多相互矛盾的要求。消费
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基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相开关电源的方案
背景：智能电表是智能电网的智能终端，除了具备传统电能表基本用电量的计量功能以外，为了适应智能电网和新能源的使用它还具有用电信息存储、双向多种费率计量功能、用户端控制功能、多种数据传输模式的双向数据通信
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基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相开关电源的方案
近年来，世界各国均发展智能电网，智能电表在这应用中发挥关键作用，可以使用户与电力系统之间实现互动，如一方面帮助电力机构精确了解用户的用电规律，为高峰用电或低谷用电设定差异化的电价；另一方面，用户也可以调整自己的用电计划，节省电费支出。一款基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相开关电源的方案，针对输入宽电压及负载调整率方面做了相应的介绍。
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英飞凌推出采用突破性超结技术的CoolMOS™ C7，为硬开关应用带来全球最低的通态电阻
21ic讯 英飞凌科技股份公司进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。另
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英飞凌推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7
英飞凌科技股份公司进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。另外，得
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英飞凌首个CoolMOS家族芯片通过质检，已向全球发货
英飞凌科技股份公司已在生产基于300毫米薄晶圆的功率半导体方面取得了重大突破。今年2月，从奥地利费拉赫工厂的300毫米生产线走下来的英飞凌CoolMOS家族产品，得到了第一批客户的首肯。从始至终，基于这项新技术的生
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提升电源系统可靠性的有效选择
近来， LLC拓扑以其高效，高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐，但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。Infineon CoolMOS CFD2系列
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英飞凌搭载集成式快速体二极管的车用650V CoolMOS? CFDA
近日英飞凌科技（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）推出全新650V CoolMOS? CFDA，壮大其车用功率半导体产品阵容。这是业界首个配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650V CoolMO
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英飞凌推出650V CoolMOS™ CFD2产品
21ic讯 英飞凌的最新一代高压CoolMOS™ MOSFET取得了又一项创新，设立了能效的新标准。在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会（5月17日至19日）上，英飞凌展出了全新推出的650V CoolMOS™ CFD2，它是世
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英飞凌推出650V CoolMOS™ CFD2产品
21ic讯 英飞凌的最新一代高压CoolMOS™ MOSFET取得了又一项创新，设立了能效的新标准。在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会（5月17日至19日）上，英飞凌展出了全新推出的650V CoolMOS™ CFD2，它是世
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英飞凌第35亿颗高压MOSFET顺利下线
2011年1月19日，英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS? 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构，使得CoolMOS? 晶体管技术不断优化，这为取得成功
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全新650V CoolMOS C6/E6高压功率晶体管（英飞凌）
英飞凌科技股份公司推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。基于
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英飞凌大刀阔斧推进能效及节能技术提升
英飞凌科技(Infineon Technologies)日前在一场媒体记者会上与台湾业界分享了该公司最新能源效率及节能技术趋势，会中针对日益受到重视的节能议题及技术发展作了详尽的报告，并透过介绍英飞凌最新一代CoolMOS C6系列及
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下一代CoolMOS MOSFET（英飞凌）
英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源
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下一代CoolMOS MOSFET（英飞凌）
英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源
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飞兆指控英飞凌专利侵权，CoolMOS、OptiMOS等涉及其中
美国飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)在美国对英飞凌(Infineon)提起诉讼，控告这家德国公司的CoolMOS和OptiMOS电源管理器件，以及Infineon IGBT和CanPak侵犯了飞兆半导体的专利。 飞兆半导体的副总裁兼总经理J
