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Bourns 推出符合 AEC-Q200 标准车规级薄膜片状电阻，提供更高的电阻公差精度和温度系数 (TCR)
Bourns® CRT-A 系列满足了汽车、手机、SD卡、DDR内存和相机模块等应用需求对小型、高精度电阻的日益增长。
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DDR内存会很快被HBM内存淘汰吗？
这一年来有关国内公司进军内存产业的消息甚嚣尘上，紫光公司凭借原有的英飞凌、奇梦达基础在DDR3内存上已经作出了突破，小批量生产了DDR3内存，下半年还会推出更主流的DDR4内存芯片，正在努力追赶国际主流水平。但是放眼整个内存市场，DDR5内存很快就要来了，更可怕的是未来即便是DDR5内存也很可能被更新的技术淘汰，业界已经有人提出了DDR内存将死的看法，未来需要高带宽的产品将转向HBM内存，2020年会有HBM 3内存，2024年则会有HBM 4内存，届时带宽可达8TB/s，单插槽容量可达512GB。
