Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出可编程电流限制电源开关AP2552及AP2553,为备有两个USB3.0接口或多达四个USB2.0接口的产品提供过流保护。新器件能够保护最高达2.1A负
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 为了让电子产品能达到轻载及待机状态能源效率标准,推出AP65200同步直流/直流降压转换器。该转换器在200mA轻载下的效率可高达96%,即使
日前美国半导体元件厂商Diodes Incorporated(以下简称“Diodes”)宣布以1.51亿美元收购中国半导体制造商BCD,现金支付。上周四(12月27日),Diodes股价在纳斯达克常规交易中上涨0.23美元,报收于17.14美元,涨幅为
北京时间12月28日上午消息,美国半导体元件厂商DiodesIncorporated(以下简称“Diodes”)周四股价上涨1%,原因是该公司昨天宣布以1.51亿美元收购BCD半导体(Nasdaq:BCDS),现金支付。周四,Diodes股价在纳斯达克常规交
北京时间12月27日凌晨消息,高质量特殊应用标准产品制造商及供应商DiodesIncorporated(以下简称“Diodes”)和BCD半导体(Nasdaq:BCDS)今天宣布,两家公司已经达成一项由Diodes收购BCD半导体的合并协议和计划。在合并交
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出四款全极性霍尔效应开关,其磁场检测的敏感度适合于多种产品设计的接近效应与位置检测功能。这些微功率器件也为电池及低功率操作进行
21ic讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封装的产品。这批首次推出的6.0V 基纳二极管及开关二极管以0.6 x 0.3 x 0.3毫米的规格供应,比采用DFN1006-2封装的同类产品节省70%的印刷
21ic讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了微型无引线DFN0603封装的肖特基二极管。该30V、0.1A额定值的SDM02U30LP3包含了开关、反向阻断及整流功能,从而满足智能手机与平板电脑等超便携产品更高密度的
21ic讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出单门逻辑器件系列,有助于各种便携式消费电子产品节省用电及空间,包括手机、电子书阅读器与平板电脑。74AUP1G系列逻辑器件采用3V的先进超低功率CMOS (互补式金属氧化
活跃于分立、逻辑及模拟半导体市场的全球领先高质量特殊应用标准产品制造及供应商Diodes公司(DiodesIncorporated),已经签订收购龙鼎微电子公司(PowerAnalogMicroelectronics,简称PAM)的协议。交易预计在本年第四季
Diodes公司推出可输出高达150mA恒流的AL5812 60V线性发光二极管 (LED) 驱动器,为低电流照明及指示牌应用提供准确控制0.5W LED的简化电路解决方案。该驱动器尺寸小巧、采用
分立、逻辑及模拟半导体市场特殊应用标准产品制造及供应商Diodes公司 (Diodes Incorporated) ,已经签订收购龙鼎微电子公司 (Power Analog Microelectronics,简称PAM) 的协议。交易预计在本年第四季度完成,有关方面
21ic讯 活跃于分立、逻辑及模拟半导体市场的全球领先高质量特殊应用标准产品制造及供应商Diodes公司 (Diodes Incorporated) ,已经签订收购龙鼎微电子公司 (Power Analog Microelectronics,简称PAM) 的协议。交易
21ic讯 Diodes公司推出可输出高达150mA恒流的AL5812 60V线性发光二极管 (LED) 驱动器,为低电流照明及指示牌应用提供准确控制0.5W LED的简化电路解决方案。该驱动器尺寸小巧、采用热性能改善的表面贴装封装,能够满
标签:LED 照明 光源Diodes 公司的AL9910/A是PWM高效高压高亮LED驱动器控制集成电路.源电压从85VAC到256VAC,输入电压高达500V. AL9910能以固定频率高达300kHz驱动外接MOSFET,输出电流从几毫安到大于1.0A,效率高于90%
21ic讯 Diodes公司推出AL5801线性发光二极管(LED)驱动器,仅需两个外加组件,就可以为设计人员简化汽车内部、指示牌及一般照明控制电路。这款占位小、采用SOT26封装的器件,把一个100V额定N通道MOSFET集成于一个经
Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米,是一款额定电压为 -25V的P通道器件,体积较同类器件
21ic讯 Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米,是一款额定电压为 -25V的P通道器件,体积较
21ic讯 Diodes Incorporated 推出一系列占板面积小、采用低剖面封装的高速开关二极管,有助大幅降低器件数量及电路板面积。新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压 (Breakdown Voltage) 外,更采用微型塑料SOT56
21ic讯 Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器,让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器,作为理想驱动二极管。同时,ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗,以及逾87%的满载效率。该控