JEDEC固态技术协会,全球微电子产业标准的领导制定机构,今天发布两项新的广为业界所期待的固态硬盘标准:“JESD218 固态硬盘(SSD)要求与耐用性测试方法”及“JESD219固态硬盘耐用性工作负荷&rdquo
JEDEC固态技术协会,全球微电子产业标准的领导制定机构,今天发布两项新的广为业界所期待的固态硬盘标准:“JESD218 固态硬盘(SSD)要求与耐用性测试方法”及“JESD219固态硬盘耐用性工作负荷”。 为了促进理解
JEDEC固态技术协会,全球微电子产业标准的领导制定机构,今天发布两项新的广为业界所期待的固态硬盘标准:“JESD218 固态硬盘(SSD)要求与耐用性测试方法”及“JESD219固态硬盘耐用性工作负荷”。 为了促进理解
电力和自动化技术领域的领先公司ABB宣布,该公司将与工艺控制阀领域的德莱赛梅索尼兰(Dresser Masoneilan®)就一种集成工艺展开合作,以监控、测试和管理所有运营条件——从正常工厂运行到异常情况&m
荷兰恩智浦半导体(NXP Semiconductors NV)就该公司的数据转换器业务于9月8日在东京面向新闻媒体举行了说明会。负责介绍的是该公司的Maury Wood(PL High Speed Converters Manager, BL High Performance RF)。
泰科电子(Tyco Electronics)今日发布了其2010年电路保护产品手册的发行。该手册扩充了几条新产品线的详细信息,介绍了PolySwitch自复式元件、PolyZen元件、2Pro元件、聚合物ESD(PESD)和硅ESD(SESD)保护元件、贴
北京时间7月23日消息,据国外媒体报道,爱立信与意法半导体的合资公司ST-爱立信(意法爱立信)周四发布了该公司2010年第二财季财报。财报显示,ST-爱立信第二财季营收为5.44亿美元,环比下滑10%;净亏损为1.39亿美元
2010年7月,北京旋极信息技术股份有限公司作为Mentor Graphics公司ESD产品在中国大陆唯一代理商,将携Mentor Graphics ESD产品参加飞思卡尔全球市场解决方案系列主题设计研讨会,其中包括中国南京(7月6-7日,南京侨鸿
据国外媒体报道,德国芯片制造商英飞凌首席财务官马可·施洛特(MarcoSchroeter)周一在接受《金融时报》德国版(FinancialTimesDeutschland)的采访时表示,该公司当前财务状况良好,足以应付其在未来进行收购,只不
引言 随着人们订购无线服务数量的激增、各种服务类型的多样化,以及更低的便携式设备接入因特网的费用,使得对于增加基础设施容量的需求日益明显。3G智能手机、3G上网本和3G平板电脑是引发对于无线数据服务和基站
引言 随着人们订购无线服务数量的激增、各种服务类型的多样化,以及更低的便携式设备接入因特网的费用,使得对于增加基础设施容量的需求日益明显。3G智能手机、3G上网本和3G平板电脑是引发对于无线数据服务和基站
GloablFoundries(GF)声称将投资30亿美元用来扩充德国与美国的产能,以回应全球代工近期呈现的产能饥饿症。欧洲:在Dresden新建Fab12,目标是45nm、28nm及22nm,月产能8万片,洁净厂房面积11万平方英尺。项目已经国家
Gloabl Foundries(GF)声称将投资30亿美元用来扩充德国与美国的产能,以回应全球代工近期呈现的产能饥饿症。欧洲:在Dresden新建Fab 12,目标是45nm、28nm及22nm,月产能8万片,洁净厂房面积11万平方英尺。项目已经国
电子系统的静电放电(ESD)鲁棒性性能测试通常采用IEC 61000-4-2作为标准。这个标准定义了每个电压等级下的冲击电流波形、如何校准ESD脉冲源、用于测量的测试环境、测试通过与失败的判据,此外还提供了如何进行测试的指
意法爱立信(ST-爱立信)周四发布了该公司2010财年第一财季财报。北京时间4月23日消息,据国外媒体报道,意法爱立信(ST-爱立信)周四发布了该公司2010财年第一财季财报。财报显示,意法爱立信第一财季净营收为6.07亿美元
您是否曾经有过在为您的电路选择最佳运算放大器上花费了大量时间但最后却发现厂商基准输入的失调电压不对的经历?要是在您的应用电路中,您发现其 10 倍于规范怎么办呢?您是将芯片拿去做故障分析,还是将芯片丢弃并
JEDEC 固体技术协会, 全球微电子行业标准领导制定机构宣布其广泛应用的“固态技术词典”第五版, JESD88D正式发布。该版包括了第四版没有包括的8项新标准与文件以及22个更新文件的词语与定义。JESD88D 可以通过JEDEC
GlobalFoundries位于德国Dresden的Fab1正在启动22nmCMOS工艺的开发,并计划将该工艺投入量产。目前还不知道该工艺和32nm及28nm工艺所采用的gate-first高k金属栅CMOS工艺有何差别。此前,Fab1被认为将作为45/40nm和32
GlobalFoundries位于德国Dresden的Fab 1正在启动22nm CMOS工艺的开发,并计划将该工艺投入量产。目前还不知道该工艺和32nm及28nm工艺所采用的gate-first高k金属栅CMOS工艺有何差别。此前,Fab 1被认为将作为45/40nm和
这篇文章简要地探讨了手机音频系统中ESD及EMI的起因及结果。接着研讨了ESD干扰抑制器和EMI滤波器的使用,以避免这些威胁。最后,比较了当前三种解决方案。 现代材料和技术引起静电放电(ESD)和电磁干扰(EMI),