由于供过于求,近几个季度DRAM价格大幅下跌。为了降低成本,并为内存所需要的新应用程序做好准备,DRAM制造商正在积极转向更新的工艺技术。尽管他们承认需要平衡DRAM的供需,但实际上他们为扩大生产能力制定了积极的计划,因为他们需要为即将到来的制造技术提供更干净的空间。
自新冠疫情以来,美国一直希望将关键科技领域的制造转回国内,比如半导体生产。而三星集团此前则在考虑投入数十亿美元,在美国多个地方建造能生产半导体的工厂。
按照惯例,今年底高通将发布骁龙865处理器,它将接替现在的骁龙855处理器,成为苹果、华为系之外其他手机厂商的旗舰机首选,不过骁龙865会由三星7nm EUV工艺代工,不再是台积电代工。
近日,三星电子在官方声明中介绍,三星Foundry于今年4月在业内首推以EUV技术为基础的量产产品,并向客户供货。三星电子的EUV技术,历经长时间的研发,并拥有成功量产的经验,目前已达到高技术成熟度以及高良品率。以EUV技术为基础的5G产品计划在今年第四季度开始量产。
近日,日韩贸易战愈演愈烈,日本宣布氟聚酰亚胺(Fluorine Polyimide)、半导体制造中的核心材料光刻胶和高纯度氟化氢(Eatching Gas)三种材料出口到韩国时不再给予优惠待遇,而且每
此前英特尔提到XE GPU芯片是他们自家10nm工艺生产,但现在变数来了,XE显卡核心也有可能使用三星的5nm EUV工艺生产。
根据外媒的报道,台积电宣布他们已经完成了5纳米工艺的基础设施设计,进一步晶体管密度和性能。台积电的5纳米工艺将再次采用EUV技术,从而提高产量和性能。
上周五三星提交的报告显示他们投资13亿美元的华城生产线已经完成建设工作,三星的7nm EUV现在才算真正进入状态了。
为了弥补存储芯片降价周期带来的影响,三星早就开始强化代工业务了,要赶超台积电,而这就要跟后者抢先进工艺量产时间了。根据三星高管所说,他们今年下半年会量产7nm EUV工艺,2021年则会量产更先进的3nm GAA工艺。
有传闻称英伟达30系显卡采用三星7nm EUV工艺,2020年上市。
IBM、三星今天联合宣布扩大战略合作关系,三星将使用7nm EUV工艺为IBM代工Power处理器。
新思科技(Synopsys, Inc.)宣布,新思科技数字和定制设计平台通过了TSMC最先进的5nm EUV工艺技术认证。该认证是多年广泛合作的结果,旨在提供更优化的设计解决方案,加快下一代设计的发展进程。
随着Globalfoundries以及联电退出先进半导体工艺研发、投资,全球有能力研发7nm及以下工艺的半导体公司就只剩下英特尔、台积电及三星了,不过英特尔可以排除在代工厂之外,其他无晶圆公司可选的只
在7nm及以下节点上,台积电的进展是最快的,今年量产7nm不说,最快明年4月份就要试产5nm EUV工艺了,不过这个节点的投资花费也是惊人的,台积电投资250亿美元建厂,5nm芯片设计费用也要比7nm工艺提升50%。
现在日本的技术论坛上三星再次刷新了半导体工艺路线图,今年会推出7nm EUV工艺,明年有5/4nm EUV工艺,2020年则会推出3nm EUV工艺,同时晶体管类型也会从FinFET转向GAA结构。
新思科技(Synopsys, Inc.)近日宣布,新思科技Design Platform Fusion 技术已通过三星认证,可应用于其7纳米(nm)低功耗+(LPP-Low Power Plus)工艺的极紫外(EUV)光刻技术。