近日,UT斯达康宣布任命首席运营官卢鹰,并且,卢鹰将在一定时间内接任UT斯达康首席执行官。此前,UT斯达康还曾宣布,广电和宽带将是其未来两大主要方向。对此,卢鹰于3月26日上午做客新浪聊了此话题。 嘉宾简介
道琼社25日报导,三星电子(Samsung Electronics)表示,截至台北时间25日下午3时为止,南韩京畿省(Gyeonggi)器兴市(Giheung)半导体厂房跳电所造成的损失估计不到90亿韩圜(790万美元)。三星并表示,目前尚未找出跳电的
3月25日上午专稿(桑菊)年年岁岁花相似,岁岁年年人不同。相同的地点,相同的时间,甚至是相同的报告主题。但今年参加CCBN的观众,看上去比往年多了一份精气神,“三网融合”和“下一代广播电视网络
3月24日上午消息(桑菊)在今天上午召开的“CCBN 2010数字技术未来系列论坛”上,广电总局科技司科技与标准管理处处长盛志凡透露,广电总局正准备构建一个开放性业务平台,但该平台的搭建并没有明确的时间
本周,苹果开始在美国境内的Apple Store直营零售店销售无绑约版的iPhone手机。用户在购机时不需要再签订AT&T的两年使用合约,但价格将远远高于绑约版本。在美国销售的无绑约iPhone 3G 8GB版价格为499美元,3GS 16GB版
3月22日午间消息(蒋均牧)就在今年中国国际广播电视信息网络展览会(CCBN2010)到来之际,关于下一代广播电视网(NGB)的相关言论又一次喧嚣直上。在今天的“CCBN 2010主题报告会”上,中国工程院院士邬
3月22日上午消息(桑菊)在今天上午举行的“CCBN 2010主题报告会”上,中国工程院院士邬江兴在作“NGB战略研究报告”时表示,按照NGB10年内实现2亿用户规模的目标计算,网络、业务平台和系统建
1Gb DDR2/DDR3内存芯片的现货价格最近双双上涨到了接近3美元的价位,显示目前内存芯片市场仍处于供不应求的紧张局面。据消息来源表示,造成这种局面 的原因主要是内存芯片厂商目前都在实施转产DDR3芯片的动作;另外一
据报道,三星半导体业务总裁权五铉近日在出席GSA内存大会时表示,三星不会盲目扩大DRAM颗粒产量,但会重视产品价值,稳定产品价格。力晶半导体总裁FrankHuang也持有相同观点。 权五铉认为,上半年的DRAM市场需求预计
LSI 公司日前宣布面向 OEM 客户推出业界首个 6Gb/s SAS 交换机产品系列样机。该款全新的LSI™ SAS6160 与 SAS6161 交换机可将多个服务器连接至 1 个或多个独立的外部存储系统,从而能够显著扩展 SAS 在直联存储
LSI公司日前宣布面向 OEM 客户推出业界首个 6Gb/s SAS 交换机产品系列样机。该款全新的LSI SAS6160 与 SAS6161 交换机可将多个服务器连接至 1 个或多个独立的外部存储系统,从而能够显著扩展 SAS 在直联存储 (DAS) 环
1、范围本标准规定了LED显示屏的定义、分类、技术要求、检验方法、检验规则以及标志包装运输贮存要求。本标准适用于LED显示屏产品。它是LED显示屏产品设计、制造、安装、使用、质量检验和制订各种技术标准、技术文件
北京时间3月14日消息,据国外媒体报道,美国市场研究公司Investor Village旗下AAPL Sanity团队对苹果平板电脑iPad接受预订情况已经进行了初步分析,预计该产品在接受预订的第一天内订单量已经达到12万台。苹果的该产
3月12日午间消息(李明)国家广电总局广播科学研究院院长马炬表示,NGB(下一代广播电视网)从科技部和国家广电总局的提出到发展已经有了一年的多的时间,NGB目前可以在线支持多个业务的共享,包括看电视、下载等,
台塑集团旗下DRAM大厂南亚科日前决定进行大扩产,原本规划将12寸晶圆厂产能从现有3万片提升至3.6万片,现在计划一举提升产能至5万片水平,因此将再增加250名员工,整体员工人数将达4,250人;总经理连日昌表示,目前1
三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。 这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内存条,性能1.6Gb
“三网融合”将圈定新试点城市 2月22日,广电总局紧急叫停广西电信IPTV业务,尽管给“三网融合”蒙上一层阴影,但阻碍不了消费者对三网融合的热盼。 三网融合的武汉样本摆在眼前———日前,武汉市下一代广
“三网融合”将圈定新试点城市2月22日,广电总局紧急叫停广西电信IPTV业务,尽管给“三网融合”蒙上一层阴影,但阻碍不了消费者对三网融合的热盼。三网融合的武汉样本摆在眼前——&md
三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4GbDDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GBRDIMM服务器内存条或者8GBSO-DIMM笔记本内存条,性能1.6Gbps,功
三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内存条,性能1.6Gbps