在9月份的即将到来的一大波智能机新品中,Galaxy Note 3算是关注度比较高的一个,三星已经确定在9月4日(IFA 2013大展前夕)推出这款重磅产品。外媒Phonearena从他们的线人那里获得了比较完整的规格信息,真机渲染图也
随着手机、平板电脑功能日益强大,电池续航能力不足成为短板问题。移动电源(充电宝)在近年来颇受欢迎,但从市质监局昨日(8月19日)发布的本年度第五号产品质量安全风险预警显
根据全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查,随着手机零组件与硬件规格逐渐标准化的影响,各品牌智能型手机的产品区隔性已逐渐降低,加上高阶市场也面临饱和,主要国际手机品牌纷纷将中低
北京时间8月27日消息,6月时,曾有消息称苹果将推出iPhone以旧换新计划,覆盖美国零售店;苹果主要是与回收公司Brightstar合作的,可以让用户马上将旧iPhone换成新品。据彭博社报道称,旧iPhone会翻新然后销往新兴国
21ic电子网讯:LG全新的骁龙800旗舰LGG2已经在英国等地开始预售,而据最新消息,这款拥有超窄边设计的骁龙800旗舰还将在下周登陆香港地区。据港媒透露,LG目前已经发出邀请函,将于8月27日(下周二)下午3点在香港举办
泰国教育部负责的2013年度123万台平板电脑采购案于6月28正式开标,中国深圳英唐数码电器有限公司以每台1953泰铢(约合63美元)的价格,获得泰国中部、南部、北部和东北部小学一年级学生使用平板电脑共80万4742台的大
荣耀3代很早之前就拿到了入网许可证,而它的真机也已多次曝光,但华为迟迟没有明确它的上市日期,现在事情终于有了进展。据悉华为会在8月28日于北京发布荣耀3代,当然了一同亮相的还有华为盒子,而该公司电商总裁徐昕
DRAM产业竞争激烈,基础不好的厂家纷纷退出该领域,还在生产DRAM的企业产能近4年都没有增加,而市场需求量却在增加,遂导致产品严重供不应求。内存目前分两大类:一类是DRAM,另一类是闪存,主要是NAND。DRAM主要配合
21ic电子网讯:7月31日,小米和QQ空间团队联合召开发布会,正式发布了售价仅为799元的红米手机,该机配备了MT6589T四核1.5GHz处理器以及4.7英寸720p触控屏,内置1GB内存和4GB机身存储空间,后置摄像头为800万像素,电
美国电信运营商商AT&T宣布23日开始独家开售宏达电 HTC One mini,2年绑定合约购机价为99.99美元。AT&T主管表示,新HTC One受到客户喜爱,所以看好更轻薄的One mini也能热卖。另外,外媒报导,宏达电可能在今年秋天推
21ic电子网讯:此前曾有消息称HTC或将放弃WP系统,但已经被官方高层证实为谣传。并且根据国外网站neowin最新披露的说法,WP系统版本的HTCOne很快就会到来,发布时间将会在今年秋季。据悉,该机将会配备4.7英寸1080p全
除了彪悍的四主控PCI-E x8固态硬盘“Scorpion Deluxe”,Mushkin今天还同步推出了当今世界上最为强悍的USB 3.0 U盘,型号“Ventura Ultra”,容量超大,速度超快。 Ventura Ultra的外观设计充满阳刚之气
半导体业已经迈入14nm制程,2014年开始量产。如果从工艺制程节点来说,传统的光学光刻193nm浸液式采用两次或者四次图形曝光(DP)技术可能达到10nm,这意味着如果EUV技术再次推迟应用,到2015年制程将暂时在10nm徘徊。
尽管东芝的19nm NAND闪存占领了不少市场,但东芝自家的SSD却并不多见,尤其是mSATA接口的产品直到近日在出现在市场上。这次亮相的东芝mSATA版本的SSD隶属于HG5d系列,采用了东芝自家的19nm Toggle MLC NAND闪存芯片,
继前几天Temash APU征服了惠普的E4A19EA笔记本之后,今天它又征服来自华硕的X102BA。华硕X102BA的屏幕尺寸为10.2英寸,分辨率未知,搭载了Temash家族的A4-1200双核处理器,融合单显的型号为HD 8180,其余配置还包括2
21ic电子网讯:今天早些时候,小米公司再次发出公告称,今天中午12点将会正式销售红米手机(QQ空间独家首发)。小米官方给出的消息显示,本次开放购买的红米手机共有10万台,用户有灰和白两种颜色可选(后壳可拆卸用
距离红米手机抢购仅有几个小时时间,喜欢它的用户已经蠢蠢欲动了。但对于红米手机,很多用户还并不是很了解。小编在网上找到一些网友对于红米手机存在的疑问,例如处理器问题、内存问题、发热问题等等。那么就红米抢
最近一段时间,H.265的曝光率越来越高,和传统的H.264相比,更加吸引用户的关注。H.264标准是2003年被通过的,这一标准成熟稳 定,据统计,目前互联网高清视频资源中90%的内容,都是由H.264视频编码所构成。不过,H
半导体业已经迈入14nm制程,2014年开始量产。如果从工艺制程节点来说,传统的光学光刻193nm浸液式采用两次或者四次图形曝光(DP)技术可能达到10nm,这意味着如果EUV技术再次推迟应用,到2015年制程将暂时在10nm徘徊。
半导体业已经迈入14nm制程,2014年开始量产。如果从工艺制程节点来说,传统的光学光刻193nm浸液式采用两次或者四次图形曝光(DP)技术可能达到10nm,这意味着如果EUV技术再次推迟应用,到2015年制程将暂时在10nm徘徊。