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欧司朗LED芯片向6英寸化迈进 2012年白色LED用芯片的产能翻番
德国欧司朗光电半导体（OSRAM Opto Semiconductors）宣布，该公司将促进位于马来西亚槟城（Penang）和德国雷根斯堡（Regensburg）的InGaN类LED芯片生产线的6英寸化，扩充led的生产能力。由此，到2012年底之前，白色L
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日本将ZnO类紫外LED光强提高到原产品的1万倍
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将ZnO(氧化锌)类紫外LED的发光强度提高到了100μW，为原来产品的1万倍，是InGaN与GaN类紫外LED的约110倍。 据研究小组介绍，制造LED元件时采用了MBE(分子束外延)法，并开发出了不使用
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采用超亮InGan技术的新款LED VLHW4100(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款新型白光、无散射的3mm LED --- VLHW4100，该LED针对高端应用进行了优化，可满足应用对极高发光强度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技术，在20mA电流下的发光强度为
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上海蓝光开启第五轮购买AXITRON MOCVD计划
据AIXTRON报道，宣布收到来自上海蓝光新的MOCVD设备订单，四套配置是CRIUS? 31x2英寸 MOCVD，用于生产高亮GaN LED。据悉，该批设备将于Q3'10在上海的工厂完成交货。据该公司负责人Wendy Liu表示，他们已开始增加GaN基
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采用超亮InGan技术的新款LED VLHW4100(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款新型白光、无散射的3mm LED --- VLHW4100，该LED针对高端应用进行了优化，可满足应用对极高发光强度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技术，在20mA电流下的发光强度为
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直接发光绿色氮化铟镓(InGaN)激光试验成功
欧司朗光电半导体成功研发直接发光绿色氮化铟镓(InGaN) 激光，标志着实验室研究取得重大突破。该款激光的光输出高达 50 mW，发射波长为 515 nm 的真绿光线。与目前采用倍频技术的半导体激光相比，直接发
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白光LED的开发设计
1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光LED基片
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白光LED的开发设计
1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光LED基片
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首尔半导体公布其对InGaN系LED专利的立场
首尔半导体日前宣布，美国得克萨斯法院经审议决定，活性层使用 InGaN 的 LED 在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。InGaN 是组成白、蓝、绿色和紫外光 LED 活跃层的必要物质。作为上述美国得克萨斯法院审判对象的
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首尔半导体公布其对InGaN系LED专利的立场
首尔半导体日前宣布，美国得克萨斯法院经审议决定，活性层使用 InGaN 的 LED 在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。InGaN 是组成白、蓝、绿色和紫外光 LED 活跃层的必要物质。作为上述美国得克萨斯法院审判对象的
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LED显示屏从何而来
LED显示屏从何而来? 早在1923年，罗塞夫(Lossen.o.w)在研究半导体SIC时有杂质的P-N结中有光发射，研究出的发光二极管(LED：Light Emitting Diode)一直都没受到过重视。随着电子工业快速的发展，尤其是在60年代期间，
