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超低静态功耗LDO!纳芯微推出业界领先车规级NSR31/33/35系列芯片
2022年5月16日-纳芯微首次推出全新业界领先的NSR31/33/35系列LDO芯片，专为汽车电池为系统供电的应用场景而设计，具有3V至40V的宽输入电压，支持瞬态电压高达45V。其超低的静态功耗5uA及低压差电压，非常适合待机功耗要求高的汽车应用里，给待机系统中的MCU和CAN/LIN收发器供电，达到省电和延长电池寿命的目的。
2022年5月16日-纳芯微首次推出全新业界领先的NSR31/33/35系列LDO芯片，专为汽车电池为系统供电的应用场景而设计，具有3V至40V的宽输入电压，支持瞬态电压高达45V。其超低的静态功耗5uA及低压差电压，非常适合待机功耗要求高的汽车应用里，给待机系统中的MCU和CAN/LIN收发器供电，达到省电和延长电池寿命的目的。
