本文中,小编将对晶体管予以介绍,主要在于介绍晶体管的优越性、MOS晶体管的相关内容以及晶体管的判别和计算。
随着社会的快速发展,我们的电源适配器也在快速发展,那么你知道电源适配器的详细资料解析吗?接下来让小编带领大家来详细地了解有关的知识。
艾迈斯半导体公司晶圆代工事业部今日宣布进一步扩展其行业领先的0.35μm高压CMOS专业制程平台。基于该高压制程平台的先进“H35”制程工艺,使艾迈斯半导体能涵盖一整套可有效节省空间并提升设备性能的电压可拓展的晶体管。
【导读】安捷伦在华成立CMOS晶体管建模中心 美国安捷伦科技宣布,将扩大对该公司元件建模软件“IC-CAP(Integrated Circuit Characterization and Analysis Program)”的投资规模(发布资料)。 具体来
随着深亚微米CMOS工艺的发展,尺寸按比例不断缩小,对芯片面积的挑战越来越严重,双极型晶体管以及高精度电阻所占用的面积则成为一个非常严重的问题。鉴于此,本文提出了一款高精度的基准电压源的设计方案,经证实,该电路具备占用芯片面积小,精度高,可移植性强的优势特性。
CA3600E阵列的一个晶体管对和CA3080运算倒转放大器连用可为方波提供精确的定时和阀值。典型的静态功耗是6mW。
图中示出高灵敏的接收器电路。从超声波话筒UW接收的信号经过集成电路NE542V放大约1000倍。其输出经二极管VD1和VD2整流成直流,最后通过VMOS晶体管控制继电器动作。VMOS晶体管输出电流可达2A.因此可以带动很大的负载,
用PMOS晶体管作为调整管的充电电路
有关单电源运放的一个热门讨论话题是:它们是否能够做轨至轨的输入或输出运行。单电源运放的供应商都声称自己的放大器有轨至轨输入能力,但芯片设计者必须做出某些折衷,才能实现这类性能。 图1 这个运放的组合
21ic讯 英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50V LDMOS工艺技术,全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计的高功率密度和称雄业界的可靠
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管,这种产品
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管,这种产品
飞思卡尔半导体宣布推出RF功率LDMOS晶体管,该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性,专门面向UHF广播电视应用而设计。作为飞思卡尔RF功率LDMOS晶体管系列的最新成员,MRFE6VP8600H与其