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MOS管N/P沟道如何区分？工作原理动图
在绝缘栅型场效应管中，目前常用二氧化硅作金属铝栅极和半导体之间的绝缘层，称为金属一氧化物-半导体场效应晶体管，简称为MOSFET或者MOS管。
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Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET，可提高能效和功率密度
器件采用PowerPAK® SO-8单体封装，栅极电荷与导通电阻乘积优值系数达到同类产品最佳水平
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采用PowerPAK® 1212‑8S封装的-30 V P沟道MOSFET，你了解吗？
你知道采用PowerPAK® 1212‑8S封装的-30 V P沟道MOSFET吗?它有什么作用?日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号：VSH)推出新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。
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Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装
符合AEC-Q101标准，适合汽车应用
