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胆机CS8412+PCM63经典设计(模拟部分)电路图
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胆机CS8412+PCM63经典设计(电源部分)电路图
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胆机cs8412+df1700+pcm58组合，廉价好声的电路电路图
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恒忆与英特尔推动可扩展式大容量相变存储产品的开发
国际电子商情讯 相变存储(PCM)是一项结合了现今多种存储产品类型的不同优点的非易失性内存技术，恒忆 (Numonyx) 与英特尔 (Intel) 今天宣布双方在该领域得研究中取得关键性突破。研究人员得以首次演示能够在单一芯片
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PCM2702与BH141 7的USB音频发射系统
引 言 USB(Universal Serial Bus)即通用串行总线，是一种新型的数据通信技术。当采用USB接口连接设备与计算机时，无需重新设置系统，也不必打开机壳来调整接口卡的指拨开关，计算机会自动识别接口设备，同时下
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基于TMS320C6713的多路CVSD语音编解码
64 Kb／s的A律或μ律的对数压扩PCM编码在大容量的光纤通信系统和数字微波系统中已得到广泛应用，但由于占用较大的传输带宽和具有复杂的成帧结构。连续可变斜率增量(Continuously Variable Slope Delta，CVSD)调
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基于TMS320C6713的多路CVSD语音编解码
64 Kb／s的A律或μ律的对数压扩PCM编码在大容量的光纤通信系统和数字微波系统中已得到广泛应用，但由于占用较大的传输带宽和具有复杂的成帧结构。连续可变斜率增量(Continuously Variable Slope Delta，CVSD)调
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相变存储研究取得关键性突破
相变存储 (PCM) 是一项结合了现今多种存储产品类型的不同优点的非易失性内存技术，恒忆 (Numonyx) 与英特尔 (Intel) 日前宣布双方在该领域得研究中取得关键性突破。研究人员得以首次演示能够在单一芯片堆栈多层 PCM
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恒忆与英特尔在相变存储技术上取得里程碑式成果
相变存储 (PCM) 是一项结合了现今多种存储产品类型的不同优点的非易失性内存技术，恒忆 (Numonyx) 与英特尔 (Intel) 今天宣布双方在该领域得研究中取得关键性突破。研究人员得以首次演示能够在单一芯片堆栈多层 PCM
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三星看好PCM内存潜力 有望取代NAND和NOR闪存
三星表示,PCM(相变内存)所具有的体积小及节电优势可能让这种内存替代现有的移动存储形式. 多年来,半导体厂商一直在致力研究PCM内存,不过,它一直处于试验阶段.PCM内存当中包含有类似玻璃的材料,当其中的原子重新排
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PCM才是闪存之后真正的下一代存储器技术
目前市场上的存储器种类非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND闪存、铁电存储器（FeRAM）和新兴的磁性存储器（MRAM），那么MRAM会成为下一代存储器吗？有没有可能未来市场上下一
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