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打破国外垄断！新型国产存储芯片发布
业内消息，上周国内DRAM芯片厂商长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品，并成功完成了与小米、传音等国产手机品牌机型的上机验证。包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片以及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。
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堆栈寄存器与数据寄存器
堆栈指针寄存器在堆栈操作中使用，PUSH和POP指令是从SP寄存器得到现行堆栈段的段内偏移量，所以称SP寄存器为堆栈指针，SP始终指向栈顶。堆栈是计算机中广泛应用的技术，基于堆栈具有的数据进出FIFO特性，常应用于保存中断断点、保存子程序调用返回点、保存CPU现场数据等，也用于程序间传递参数。
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3D封装技术简介
3D晶圆级封装，英文简称(WLP)，包括CIS发射器、MEMS封装、标准器件封装。是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。主要特点包括：多功能、高效能;大容量高密度，单位体积上的功能及应用成倍提升以及低成本。
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基于区块链技术的娱乐生态链Seeker Chain介绍
基于区块链技术和 Token 价值经济思想，是首个全球娱乐生态链，是全球通证经济生态公链WILL 的首个主链项目。Seeker 将引领全球娱乐新方向，从游戏、直播、社群线上娱乐生态，到马术、潜水
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System76发布Linux专用键盘
著名的PC制造商Linux System76刚刚为业余爱好者推出了一种特殊的键盘设备。 公司首席执行官卡尔·里切尔（Carl Richell）说，用户将从与Pop！OS的完全集成中受益。 Pop！OS 20.04 Linux发行版将为键盘带来新的用户体验，这将有助于公司打破软件和硬件之间的界限。
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PoP装配SMT工艺的的控制
（1）元器件翘曲变形对装配良率的影响至为关键元器件翘曲变形导致在装配之后焊点开路，其翘曲变形既有来自元件在封装过程中的变形，也有因为回流 焊接过程中的高温引起的热变形。由于堆叠装配的元件很薄，底部元件甚
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谈谈PoP的SMT工艺的可靠性
可靠性是另一关注的重点。目前，环球仪器SMT工艺实验室正在进行的另一个项目就是堆叠装配可靠性研究。从目前采用跌落测试的研究结果来看，失效主要发生在两层元件之间的连接。位置主要集中在元件角落处的焊点。失效模
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元器件PIP（堆叠封装）和PoP（堆叠组装）的比较
1． PiP （Package In Package,堆叠封装）PiP一般称堆叠封装又称封装内的封装，还称器件内置器件。封装内芯片通过金线键合堆叠到基板上，同样 的堆叠，通过金线再将两个堆叠之间的基板键合，然后整个封装成一个元件便
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PoP的SMT工艺的返修工艺的控制
对多层堆叠装配的返修是需要面临的重大挑战，如何将需要返修的元件移除并成功重新贴装而不影响其他 堆叠元件和周围元件及电路板是值得我们研究的重要课题。虽然业界已有上下温度可以单独控制的返修台， 但要处理如此
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典型PoP的SMT工艺流程
①非PoP面元件组装（印刷，贴片，回流和检查）；② PoP面锡膏印刷：③底部元件和其他器件贴装；④顶部元件蘸取助焊剂或锡膏；⑥项部元件贴装：⑥回流焊接及检测。由于锡膏印刷已经不可能在底部元件上完成，顶层CSP元
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业界最强大人工智能系统在 GTC 2018 上发布
日前，在 GTC 2018 上，Vicor 团队见证了 英伟达 DGX-2 的发布，它是迄今为止最强大的 AI 系统。DGX-2 使用 16 个 SXM3 GPU 卡提供每秒 2 千万亿次浮点运算的计算性能，与前一代 DGX-1 相比，可提供 10 倍的深度学习性能，而功耗仅为 10kW。在展厅内，DGX-2 与 SXM3 卡一同展出，您可以在上面看到最新的Vicor 合封电源 (PoP) 解决方案以及我们的 PI3526 ZVS 降压稳压器。就在不久前的3 月 6 日，我们推出了 600A 稳定电流输出
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Synopsys扩大与ARM的合作，提供基于IC Compiler II的ArtisanPhysical Libraries和POP IP支持
新思科技日前宣布已与ARM展开合作，从而提供与Synopsys IC Compiler II布局布线系统兼容的Artisan标准单元、内存、ARM POP IP及内核硬化加速技术。IC Compiler II于2014年推出，是行业领先的解决方案，适用于所有工艺节点的高级物理设计，能够以最快设计速度提供优质成果(QoR)。
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ARM针对台积电16FFC工艺的ARM Cortex-A73 推出POP IP
21ic讯 ARM公司近日宣布ARM® Artisan®物理IP，包括POP™ IP现已面市，针对基于全新ARM Cortex®-A73处理器，并采用台积电16FFC(FinFETCompact)工艺的主流移动系统芯片(SoC)。
