长江存储科技有限责任公司128层QLC 3D NAND 闪存(型号: X2-6070),已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量①。此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),以满足不同应用场景的需求。
闪存是最常用器件之一,在诸如SSD等存储设备中均存在闪存。但是,大家对闪存真的足够了解吗?为增进大家对闪存的了解和认识,本文将对QLC闪存以及TLC闪存相关内容予以介绍。
9月22日,据国外媒体报道,专注于3D NAND闪存设计制造的长江存储,将提高NAND闪存芯片的出货量。
在这篇文章中,小编将为大家带来第二代QLC闪存SSD 665p的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣,不妨继续往下阅读哦。
在新季度财务电话会议期间,西部数据透露,已开始出货基于96层堆叠3D QLC闪存的产品,首批用于零售产品和移动SSD。
最近逐渐有采用QLC颗粒的SSD面世,虽然其容量巨大,但是让Cache缓存用完后很低的原始写入速度让也与现在的采用TLC颗粒的SSD相去甚远。今天Intel正式公布了傲腾内存H10系列,将3D Xpo
东芝公司也在FMS 2018会议上公布了他们在96层堆栈BiCS 4闪存技术的情况,指出其QLC闪存在1500次P/E循环之后依然没有变化,凭借1.33Tb的核心容量,QLC闪存可以轻松作出85TB容量的U.2硬盘。
三星表示全新的QLC闪存被称之为4-Bit QLC闪存,同时三星也表示已经开始量产基于4-Bit QLC闪存的消费级SSD,三星还表示全新的4-Bit V-NAND芯片可以达到1Tb的规模,同时三星也可以凭借该项技术轻而易举地制造出超过128GB的TF卡。
Anandtech在国内主控厂商联芸科技(Maxio Technology)的展台上找到了使用Intel 3D QLC闪存的4TB SSD,当然这款产品还是处于初期的样品阶段,它采用是一颗联芸自己的MAS0902A-B2C DRAM Less主控,主控支持Agile ECC 2和WriteBooster 2与虚拟奇偶校验恢复等技术,而闪存型号是Intel N18A 3D QLC。
西数收购闪迪之后已经变成全球领先的NAND供应商,技术上他们跟东芝是一派的,主要使用BiCS技术,已经推出了四代BiCS技术,目前的主力是BiCS 3,量产的NAND闪存堆栈层数是64层,去年展示过96层堆栈的BiCS 4闪存,这将是西数、东芝下一代主力。
东芝日前发布了全球首个基于QLC(四比特单元) BiCS架构的3D NAND闪存芯片,64层堆叠封装,单颗容量可以做到768Gb(32GB),可以带来容量更大、成本更低的SSD产品。不过随着NAND闪存技术的发展,寿命和耐用性一直是个让人忧虑的问题。
东芝今日宣布其成功开发出了全球首款 4-bit 3D 闪存(QLC),有望带来更低的制造成本和更高的存储密度。闪存通过一串带有电荷的浮动门晶体管来存储数据(赋予“0”或“1”即 1-bit),这些存储块可以二维(平面型 NAND)或三维(3D NAND)堆叠的形式排列,然后用更多电荷值来对应存储更多位元的信息。比如四级(2-bit)闪存被称为 MLC、八级(3-bit)则为称为 TLC 。