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东芝签下卢浮宫LED照明改造项目
近日，东芝法国卢浮宫博物馆签订合作协议，承担其正在进行的照明改造项目“led照明器具以及支援改造工程”，欲通过向全球着名的卢浮宫博物馆提供LED照明器具，来扩大东芝照明的品牌认知度，从而扩大照明业务。 卢
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三星收购MRAM芯片开发商Grandis
8月3日消息，三星周二宣布，他们已收购MRAM(磁性随机存储器)芯片开发商Grandis。具体协议条款尚未披露。三星表示， Grandis将并入三星研发部门，专注于下一代存储技术的开发，评估新半导体材料和结构的长期商用价值。
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三星收购MRAM芯片厂商Grandis
据外电消息报道，三星今天宣布收购美国MRAM(磁阻随机存取存储器)厂商Grandis，并表示将把Grandis整合到研发部门中。Grandis成立于2002年，有约25名员工，尚未发售一款产品。Grandis的MRAM技术比传统技术更先进。传统
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三星收购MRAM芯片开发商Grandis
北京时间8月3日早间消息，三星周二宣布，他们已收购MRAM(磁性随机存储器)芯片开发商Grandis。具体协议条款尚未披露。 三星表示， Grandis将并入三星研发部门，专注于下一代存储技术的开发，评估新半导体材料和结构的
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三星已收购MRAM芯片开发商Grandis
北京时间8月3日早间消息，三星周二宣布，他们已收购MRAM(磁性随机存储器)芯片开发商Grandis。具体协议条款尚未披露。三星表示， Grandis将并入三星研发部门，专注于下一代存储技术的开发，评估新半导体材料和结构的长
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台积电：产业波动仅短期且跌幅浅 Q4会转好
台积电(2330)法说会召开完毕，一如市场预期，受到客户调整订单影响，台积电第三季营收将受到冲击，会较前季下滑6-8%，且因产能利用率滑落，毛利率也持续下坠。也由于下半年整体产业景气转差，台积电内部也坦承，今年
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纳米制程遇瓶颈 业者积极研发次世代存储器
随著存储器容量越来越大，NANDFlash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面尽管在微缩的技术上些微领先最大竞争对手公司韩国三星电子(
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基于FPGA的可变长度移位寄存器优化设计
基于FPGA的可变长度移位寄存器优化设计
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Hynix东芝宣布将联合开发STT-MRAM技术
韩国Hynix与日本东芝公司近日宣布两家公司将共同开发STT-MRAM（spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋转移矩磁阻RAM）技术,两家公司均认为这项技术是非常重要的下一代非易失性存储技术之一。一旦有关的
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东芝与海力士半导体合作研发MRAM内存技术
东芝周三（713）宣布与韩国海力士半导体（HynixSemiconductor）合作研发磁电阻式随机存取内存（MRAM）技术，今后将在韩国利川的海力士研究设施中集结双方技术人才，积极推动此合作计划。MRAM是一种低耗电、读写速度快
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澳大利亚电讯国际任命新北亚业务负责人
7月14日消息，澳大利亚电讯国际13日宣布任命Andrew Wildblood先生为北亚地区业务负责人，该任命自2011年7月1日起生效。Wildblood先生将常驻香港，向澳大利亚电讯国际执行董事Phil Mottram汇报。他将负责澳大利亚电讯
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东芝宣布携手海力士联合开发MRAM产品
（无忌）北京时间7月13日消息，据国外媒体报道，全球第二大内存芯片制造商海力士和东芝周三联合宣布，两家公司将联合开发磁阻随机存储器（MRAM）产品。 东芝与海力士共同签署的声明称，一旦MRAM的技术开发完成，
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研究称2014年亚太地区将引领全球LTE发展 中日领先
北京时间7月12日上午消息（艾斯）根据市场研究公司Pyramid Research一份最新研究报告显示，亚太地区的LTE用户将会在2014年超过全球其他地区。并且，日本和中国将成为亚太地区LTE的引领者。但是，LTE技术仍需花费更长
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喀麦隆年内举行移动执照拍卖
7/1/2011, Pyramid研究公司最新报告指出，西非国家喀麦隆将在年底前举行2张移动运营牌照的拍卖。这一拍卖预计将极大改变喀麦隆移动通信市场的竞争状况。目前该国仅有两家移动运营商，是非洲国家中竞争最不激烈的移动
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美国Rambus通过专利技术使光导材料出光效率超92%
美国Rambus公司新近推出一系列名为PentELic的知识产权组合，计划进军led照明产业。据称，该技术使用LED侧光式导光板，将微光学器件嵌入在光导材料中以实现出光角度的控制，从而从光导中获得更多的光线，使出光效率达
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图像的二维提升小波变换的FPGA实现
图像的二维提升小波变换的FPGA实现
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Rambus控告海力士与美光共谋排挤 索赔129亿美元
根据彭博(Bloomberg)报导，美国存储器业者Rambus于美国时间20日向加州一家法院提起反柯断诉讼，该公司指控韩国存储器业者海力士(Hynix)与美国存储器厂商美光(Micron)2厂非法共谋，意欲将Rambus排挤出存储器芯片市场。
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Samsung (Memory) 三星第一款使用PRAM的MCP
三星第一款使用PRAM的MCP 此款三星的 512Mb MCP PRAM 与 40nm NOR Flash的软硬件功能皆相容，此MCP可带给移动电话设计人员相当的便利性。预计PRAM将成为在NOR Flash之后消费性电子设计使用的主要内存技术。
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海力士美光称Rambus手段可耻 将失败归结他人
（中涛）北京时间6月22日消息，据国外媒体报道，计算机内存芯片厂商海力士半导体(Hynix Semiconductor)和美光科技(Micron Technology)周二表示，Rambus在PC内存芯片市场的一些手段“非常可耻”，并将其市场失败的
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Rambus指责海力士美光非法共谋 索赔129亿美元
（明轩）北京时间6月21日消息，据国外媒体报道，美国存储芯片制造商Rambus在周一加利福尼亚州开审的反垄断诉讼案中指出，韩国存储芯片制造商海力士和美国存储芯片制造商美光科技曾使用了“非法的阴谋”，欲将Ramb
