1.以太网雷击保护 以太网是广泛用于访问和城域网络基础设施。这些接口通常必须符合GR1089雷击浪涌测试。为了防止雷电浪涌,低钳位电压是必须的. 新一代的物理层更敏感雷击。为了防止雷电浪涌,(如GR1089,IE
一般LC振荡器适用于较高频率。频率较低时常用以电阻、电容为选频网络的RC振荡器。RC振荡器的工作原理同LC振荡器一样,都是依靠放大器的正反馈,使电路满足振荡的相位条件和振幅条件。常用的RC振荡器有相移式、桥式和
Barclays Capital预测,2012年,深受产能过剩、平均售价(ASP)压力以及LED照明需求增长平缓等因素困扰的LED行业将迎来“平淡的一年”,但MOCVD设备在LED和功率半导体行业以及MOCVD设备升级市场还是存在一定的机会。
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美国华尔街分析师预测,全球半导体产业营收继2011年成长1~2%之后,2012年成长率将在0~4%之间。“我们仍维持对半导体产业的乐观看法,认为景气将在2012年第一季触底,并在下半年随着库存去化而全面复苏;下半年产业成长
北京时间1月5日早间消息(蒋均牧)印度电信部(DoT)质疑,该国电信仲裁机构电信争议仲裁局(TDSAT)是否有权调查移动运营商之间的3G漫游协议。电信部宣称3G漫游协议违反了运营牌照,移动运营商随后向电信争议仲裁局
随着众多车厂相继推出节能车款,德国莱因(TUV Rheinland)在欧洲第 64 届 Motor Show 2011展中发表针对各国消费者对电动车看法的“2011年全球消费者的电动车使用意愿大调查”,根据该报告显示,印度及中国将是未来5年
对汽车的低燃耗化产生有巨大影响的是轮胎的滚动阻力。轮胎滚动时,胎面橡胶会变形。此时,如果内部橡胶变形后会立即恢复原状,便可减少轮胎内部发热,阻力也比较小。但橡胶中混合着二氧化硅等强化材料。橡胶与橡胶、
随着众多车厂相继推出节能车款,德国莱因(TUV Rheinland)在欧洲第 64 届 Motor Show 2011 展中发表针对各国消费者对电动车看法的“2011年全球消费者的电动车使用意愿大调查”,根据该报告显示,印度及中国将是未来5年
北京时间12月29日早间消息(蒋均牧)马来西亚Binariang GSM日前宣布计划重组,将印度移动运营商Aircel拆分出去,此举或将导致Aircel的出售。据C114了解,Binariang GSM拥有Aircel 74%的股份——这一比例达
引 言一个简化的异步数据通信系统如图1所示。接收机端从接收到的来自串行链路的比特流中提取时钟信号Clk1,作为其工作时钟源;而发送机端采用本地晶振和锁相环产生的时钟Clk2,作为其工作时钟源。接收机在时钟Clk1的
一、传送操作 助记符 代码 说明 MOV A,Rn E8~EF 寄存器A MOV A,direct E5 dircet 直接字节送A MOV A,@Ri ER~E7 间接RAM送A MOV A,#data 74 data 立即数送A MOV Rn,A F8~FF A送寄
I3研究所开发的图像处理LSI“ICC” “如果能准确表现光的反射,影像就会具有景深和质感。这样,拥有高亮度和4K×2K显示分辨率的50英寸以上大型显示器便有望实现与人在观看实物时相同的感觉”。日本I3研究所代表董
12月22日下午消息(孙剑)据国外媒体报道,近日Eircom公司(爱尔兰电讯营运商)和都柏林机场管理局(DAA)联手,在都柏林机场推出Eircom公司的WiFiHub服务。据内部人士透露,在都柏林机场推出这一新的Wi-Fi服务是Ei
据最新公布的学术研究表明,太阳能已经在北美一些地区实现电网平价,也因此有望成为电力主流。这个名为“太阳能光伏每度电成本(LCOE)回顾”的研究由密歇根科技大学的Joshua Pearce与安大略金士顿皇后大学的Kadra Bra
太阳能逆变器制造商德国瑞福公司(REFUsol)于12月7日至9日北京举办的IntersolarChina展览期间宣布,将在中国上海成立瑞福索新能源科技(上海)有限公司,以加强在中国市场的领导地位和客户服务。2012年,该公司将开
21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,提高其VJ HVArc Guard®表面贴装X7R多层陶瓷片式电容器(MLCC)的最低容值。对于更低的容值,公司会提供C0G(NP0)电介质,电压范围1000V~2500V,及采用0805~2225的
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,提高其VJ HVArc Guard表面贴装X7R多层陶瓷片式电容器(MLCC)的最低容值。对于更低的容值,公司会提供C0G(NP0)电介质,电压范围1000V~2500V,及采用0805~2225的5种外形尺寸
鉴于MEMS工艺源自光刻微电子工艺,所以人们很自然会考虑用IC设计工具来创建MEMS器件的掩膜。然而,IC设计与MEMS设计之间存在着根本的区别,从版图特性、验证或仿真类型,到最重要的构造问题。 尽管针对MEMS设计的