如何利用SY8003设计一个同步降压调节器
S1473X实现RDS功能设计
RDS功能设计在车载音响中的实现
性价比一流:英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOS™ S7超结MOSFET
儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品,籍此扩展市场领先的低RDS(on) MOSFET性能
Vishay推出采用PowerPAK® 1212 8S封装的-30 V P沟道MOSFET,RDS(ON)达到业内最低水平,提高功率密度,降低便携式电子设备功耗
UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET
UnitedSiC发布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET,具有更高效率和更低损耗
意法半导体宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破