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如何利用SY8003设计一个同步降压调节器
SY8003和SY8003A在从2.7V到5.5V的宽输入电压范围内工作，并集成了主开关和同步开关与极低的RDS(ON)，以最小化导电损失。
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S1473X实现RDS功能设计
介绍了RDS功能在车载音响系统中的应用与实现，并设计低功耗硬件电路以适应车载供电的要求。RDS功能采用S1473X嵌入式芯片实现，通过软件编程实现了带RDS的数字调频立体收音功能，为车载音响
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RDS功能设计在车载音响中的实现
面对日趋激烈的市场竞争和越来越挑剔的用户，汽车制造商和汽车配件供应商一直在努力创新——具有更新科技含量和更好用户体验的产品不断被应用到汽车中。先进的车载信息娱乐系统已
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性价比一流：英飞凌推出面向低频率应用的600 V CoolMOS™ S7超结MOSFET
【2020年3月3日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言，新推出的600 V CoolMOS™ S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。
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儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力在电子商务网站上供应这款MOSFET器件。
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安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品，籍此扩展市场领先的低RDS(on) MOSFET性能
同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷
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Vishay推出采用PowerPAK® 1212 8S封装的-30 V P沟道MOSFET，RDS(ON)达到业内最低水平，提高功率密度，降低便携式电子设备功耗
器件占位面积10.89 mm2，RDS（ON）降至3.5 m，FOM降至172 m*nC，均为业内最佳水平
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UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET
2020年2月3日，美国新泽西州普林斯顿---美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面贴装封装、同时具有业界最低RDS(on)的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，这些650V SiC FET能够取代已有的标准硅器件，使工程师可以采用比分立设计方法具有更高效率和更高功率密度的解决方案来构建开关电路。
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UnitedSiC发布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET，具有更高效率和更低损耗
2019年12月9日，美国新泽西州普林斯顿--新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiC FET，其RDS(ON)值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。
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意法半导体宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破
功率半导体产品的意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。MDm
