日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代号:RFMD),宣布其已被一个主要的 3G/4G 智能手机制造商选中,为该制造商的下一代设备提供支持。下一代设
日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代号:RFMD)宣布,其将继续努力,实现 RF 功率管理性能方面改进的新里程碑。RF Micro Devices 正在开发基于平
日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代号:RFMD)宣布其已开始量产多个 3G/4G 功率放大器 (PA),以支持两个领先的智能手机系列。RFMD 支持的这
21ic讯 日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.宣布其已开始量产多个 3G/4G 功率放大器 (PA),以支持两个领先的智能手机系列。RFMD® 支持的这两款最新智能手
21ic讯 RFMD公司推出氮化镓有线电视表面贴装功率倍增模块 RFCM2680 是业界首款专门针对有线电视网络的表面贴装氮化镓功率倍增模块。该器件同时采用了氮化镓 HEMT 和砷化镓 pHEMT 技术,可在频率 45 至 1003MHz 范围
21ic讯 RFMD公司推出RF3928 氮化镓宽带脉冲功率放大器。RF3928 是一款 50V 280W 的高功率分立放大器,专用于 S 波段脉冲雷达、空中交通管制和监督 (ATCS) 以及通用宽带放大器应用。由于采用了先进的高功率密度氮化镓
RF Micro Devices, Inc.目前宣布,其 PowerSmart™ 功率平台实现重大的性能里程碑。RFMD 的PowerSmart 功率平台是为改变未来多模式、多频段蜂窝射频架构而设计的新产品类别。 在独立的产品测试期间,RFMD
设计及制造高效能射频零组件及复合式半导体技术供货商 RF Micro Devices (RFMD)日前宣布,该公司已进一步扩大其晶圆代工服务(Foundry Services),以提供多种分子束外延(MBE)平台、外延特性描述及外延开发架构,包
RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布该公司已增加其砷化镓(GaAs)技术至RFMD的晶圆代工服务内容,并开始为Foundry Services事业部的客户提供全套的砷化镓 pHEMT 技术。 RFMD将提供针对高功率、低噪声和RF切换产品而
RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布该公司已增加其砷化镓(GaAs)技术至RFMD的晶圆代工服务内容,并开始为Foundry Services事业部的客户提供全套的砷化镓 pHEMT 技术。RFMD将提供针对高功率、低噪声和RF切换产品而最佳
从去年至目前为止,3G RF所需的功率放大器(Power Amplifier, PA)始终面临缺货的情况,究其原因,主要是由于低价手机盛行、智能型手机热 卖与行动上网需求激增,导致PA用量大增,PA业者供应不及。这是3G相关业者在
RF Micro Devices, Inc. 公司宣布,该公司正在与 Ember 公司合作,共同推出面向智能电网应用的 ZigBee 前端模块 (FEM),这些模块可使公用事业及消费者更大力度地控制他们的监控方式,并且可节省能源。ZigBee 是一种
美国复合半导体制造商RFMicroDevices(RFMD)宣布,公司通过使用标准半导体晶片设备成功制造出太阳能电池,标志着6英寸砷化鎵(GaAs)基片上的III-V族多结光伏电池量产方面获得突破。去年RFMD开始与美国国家可再生能源实
Strategy Analytics射频及无线组件市场研究服务发布最新研究报告“RFMD 失去功率放大器 (PA) 市场领先地位,Skyworks 拔得头筹”。本报告研究经济衰退和手机出货量下降给手持终端功率放大器 (PA) 市场带来的变化,并
Strategy Analytics 射频及无线组件市场研究服务发布最新研究报告“RFMD 失去功率放大器 (PA) 市场领先地位,Skyworks 拔得头筹”。本报告研究经济衰退和手机出货量下降给手持终端功率放大器 (PA) 市场带来
日前,RF Micro Devices, Inc. 公司(RFMD)推出 RF4180 PowerStar® 双频带 GSM/GPRS 发送模块。
日前,RF Micro Devices, Inc. 公司(RFMD)推出正在申请专利的 MicroShield™ 整合 RF 屏蔽技术。